Micron Technology和 Intel 正在預熱3D XPoint存儲器，更低價格和持久存儲將超越DRAM。

Micron和Intel已經預覽了新型存儲器技術，并稱其速度千倍于NAND，耐久性千倍于DRAM，并提供十倍于目前應用于固態盤中的NAND閃存的存儲密度。

被稱為3D XPoint存儲器的這項技術由Micron和Intel共同開發。兩家已經開始生產128GB容量的閃存模具。樣品預計將于2015年末面世，而基于3D XPoint的新品發布最快將于2016開始。

新技術提供幾近DRAM的速度和持久存儲。

價格方面，預計將介于NAND和DRAM之間。

3D XPoint memory采用了交叉點的架構模式。與使用晶體管不同，3D XPoint存儲單元的讀寫都通過發送給每個選擇器的電壓變化發生。

“這意味著你可以進行更多的寫操作而不用擔心耐久性的問題，”Intel非易失性存儲解決方案部門總經理兼高級副總裁Rob Crooke說道，“3D XPoint有十倍于NAND的密度并且它

是非易失的，可以作為永久存儲。這對于很多人來說都是根本性的突破。”

“所有人都想要做到交叉點架構，因為這將給予存儲單元最有效的耐久性并提供最高的密度。交叉點架構非常重要。”