8月13日消息 高通公司高級副總裁彼德·卡爾森近日透露稱，高通的TD-LTE芯片將在今年進行試驗，而明年將正式投入商用。
“高通的TD-LTE芯片方案主要有電源管理、基帶芯片和射頻芯片三方面組成，基帶芯片MDM9200是已支持LTE FDD/TDD、HSPA+以及EDGE等多種制式的融合芯片。” 彼德·卡爾森表示，高通高集成芯片組不僅能夠幫助運營商從3G平滑演進到4G，同時也能夠幫助OEM廠商設計，同時利用相同的設計平臺，解決開發設計成本。
彼德·卡爾森介紹到，目前推出的MDM9200芯片是高通部署LTE芯片的第一階段，而在下一階段高通將分兩步進行，第一步是提出集成芯片MSM8960，語音服務通過2G或3G來實現，而數據則通過LTE實現；后期演進的MSM8960芯片則將實現語音與數據均可通過LTE來實現。
今年6月初，高通公司在11家競標者參與到印度BWA寬帶無線接入頻譜拍賣中并獲勝，高通的目標很明確，即通過BWA頻段布局3G及LTE，而印度2.3GHz頻段的特點和印度民眾對寬帶服務的需求與高通的TD-LTE恰好契合在一起。與此同時，近日高通宣布與Global Holding和Tulip兩家印度公司組建合資公司，根據印度政府的要求共建LTE網絡，之后從合資公司中撤出。
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