而近日，全球知名半導體研發中心——IMEC，即比利時微電子研究中心宣布了一項新技術，他們成功制造了目前全球最小的SRAM芯片，面積縮小24%，未來可適用于5nm制程節點。

此前，全球最小的SRAM芯片是由三星制造的6T 256Mb SRAM芯片，面積只有0.026平方毫米，而IEMC本次制造的新一代6T 256Mb SRAM芯片核心面積只有0.0184平方毫米到0.0205平方毫米，相比三星的SRAM微縮了24%。

之所以新一代芯片能夠做到如此小的面積，原因在于IEMC采用了更簡單的結構設計，并且使用新的晶體管結構，同時加入了垂直型環繞柵極(Surrounding Gate Transistor，簡稱SGT)結構，柵極間距僅為50nm，這與以往的水平型GAA晶體管相比，能夠縮小20-30%的面積，同時在工作電壓、漏電流及穩定性上表現更佳。

半導體制程發展中，柵極間距與邏輯單元高度是兩個非常重要的指標，它們直接影響著半導體芯片單位面積內的晶體管密度，而晶體管密度大小也是決定芯片性能的重要因素。此外，工作電壓與漏電流也是衡量制程工藝的標準參數之一，更低的漏電率也是制程發展中需要考慮的問題。