首先我們看到中芯國際在8日發布新一輪財報，其中有一條顯示公司表示已成功上量28納米技術產品組合，在2017年四季度收入占比貢獻達到11.3%，較三季度的8.8%顯著提升。這也意味著國產化芯片迎來新的發展機遇。

再看看中國芯片具體發展狀況，這方面在臺灣或者韓國技術都比較先進，比如聯發科和臺積電，前者降低了安卓手機的價格門檻，而后者則是iPhone產業鏈上最重要的成員之一，而他們最重要的生存手段就是半導體芯片設計制造能力，而這或許也是臺灣科技最后的自尊。

那么隨著中芯國際28nm產品成功上量，我們和諸如三星、聯發科、臺積電還有多大差距呢?其實臺積電、三星等將都開始研發或已經量產7nm工藝制程，尤其是在2017年開始，臺積電就進行7nm芯片的風險試產，2018年將正式量產。而三星也一樣，三星方面表示，有望在今年開始測試7納米FinFET工藝制程，目標是實現2018年年初能夠量產7納米工藝。

這說明中芯國際與當前最先進的芯片制造工藝還有一段不小的差距。但是不得不說過呃逆半導體行業也在摸索中前進，比如突破3D NAND閃存，這方面主要是長江存儲科技在做，而在芯片制造工藝方面，國內比Intel、三星、TSMC落后的更多，這方面追趕還得看SMIC中芯國際。

所謂的28nm技術是臺積電弄出來的，因為按照慣例，新一代晶體管的制程是上一代晶體管的0.7倍左右，所以我們可以看到英特爾的制造工藝是65nm45nm32nm22nm14nm10nm這樣的，臺積電當年為了營銷目的，開發了原本適用于nand閃存的28nm制造工藝，實際上和英特爾的32nm是同一代產品。

從這里看來，我們的差距很大。28nm距離目前三星的頂級工藝差了整整三代，這幾乎需要五年的時間去追趕。芯片制造工藝需要大量的資金，還需要技術的積累，顯然，我國并沒有這樣的技術積累。