之前，芯片大廠英特爾(英特爾)在中國舉行的“尖端制造大會”上，正式向大家展示了藉由最新的10納米制程技術所生產的晶圓，并且表示由10納米制程技術所生產的CannonLake處理器將會在2017年年底之前開始量產。

只是，現在有消息透露，首批進入到市場的英特爾10納米制程技術產品，將不會是大家期待的CPU，而是目前市場價格高漲的NANDFlash快閃存儲器。

根據業界人士透露，英特爾計劃在自家最新的64層3DNANDFlash快閃存儲器上使用最新的10納米制程技術。至于為何在3DNANDFlash快閃存儲器上首先使用新制程技社，很可能是因為NANDFlash快閃存儲器的結構相對簡單，基本上就是大量同類電晶體的堆積。

相較之下，CPU處理器的架構就顯得復雜多了。而就由使用新制程技術來生產，復雜性也是關系成功與否的重要風險之一，而這也是英特爾在14納米制程、10納米制程上屢屢延后推出的一項主要因素。

而依照英特爾的說法，10納米制程技術使用了FinFET(鰭式場效應電晶體)、HyperScaling(超縮微)技術，可將電晶體密度提升2.7倍，結果自然可以大大縮小芯片面積，對NANDFlash快閃存儲器的設計來說，當然就能極大地提升容量。

不過，目前還不清楚英特爾的10納米制程NANDFlash快閃存儲器的具體生產情況為何，但是可以確認的是，未來該批產品將會首先運用于資料中心的市場，等成本下降之后，再推廣到消費等級市場領域。