在三星宣布10nm、7nm節點之外會推出8nm、6nm優化版工藝之后，TSMC日前也公布了該公司的一些工藝進展情況，10nm工藝已經進入量產階段，沒多少秘密可說了，但是未來的7nm節點看點就多了。TSMC表示第一代7nm工藝制造出的256Mbit SRAM芯片良率已達76%，ARM公司據說正在使用新的設計制造4GHz ARM處理器了此外，TSMC的7nm也會發展多代產品，但是增強版7nm工藝才會使用EUV工藝，第一代并不會。

TSMC、三星以及Intel都會量產10nm工藝，不過10nm工藝主要優勢是低功耗，而且從TSMC和三星的進度來看，他們的10nm工藝過渡意味濃厚，2018年就會被7nm工藝接力取代了，而7nm被公認為是高性能工藝，影響會比10nm工藝深遠得多，也是各大晶圓廠爭奪的重點，跳過10nm工藝的GlobalFoundries及大陸的中芯國際都會投入7nm之爭中。

根據TSMC最近公布的一些數據，匯總下他們在7nm節點的一些進展和動向：

·TSMC此前說他們的7nm工藝良率“健康”，這次又給出了具體的證據，7nm生產的256Mbit SRAM芯片良率達到了76%，這個良率確實是很高的。

·7nm表現如此之好，以致于使用新的設計流程可以制造出頻率超過4GHz的Cortex-A72處理器。作為參考的是，目前16nm工藝下A72/A73核心頻率普遍在2.5GHz以內，華為、聯發科高端處理器莫不如此，高通自研的Kryo架構頻率也是如此。

·TSMC的7nm工藝下個月開始風險試產，5月份預計會有12款芯片流片。

·目前的7nm工藝還是第一代，并不會使用EUV工藝，而使用EUV工藝的是增強版7nm工藝，TSMC表示該工藝相比初代7nm可以提升10%的性能或者15%的能效，這種高端工藝主要是給蘋果這樣的客戶使用的。

·TSMC預計增強版7nm工藝會在2019年大規模量產。