高通除了在香港舉辦的技術(shù)峰會(huì)上發(fā)布了驍龍653、驍龍626和驍龍427這三款中端處理器，未來還將發(fā)布最新的旗艦處理器驍龍835以及中端殺手驍龍660處理器。下面大家來看看這些處理器的參數(shù)：

　　驍龍65X和驍龍82X參數(shù)

驍龍653：代號(hào)MSM8976 Pro，采用4核A72 4核A53設(shè)計(jì)，大核頻率從652的1.8GHz提升到了1.95GHz，GPU依然采用了Adreno 510，綜合性能提升了10％左右。內(nèi)存支持的容量從6GB提高到8GB。基帶升級(jí)到了LTE X9，上傳速率從100Mbps提升到150Mbps，支持QC3.0快充。

　　驍龍6XX參數(shù)對(duì)比

驍龍626：代號(hào)MSM8953 Pro，也就是625的升級(jí)版，主頻從2GHz提升到2.2GHz，基帶升級(jí)為L(zhǎng)TE X9，支持藍(lán)牙4.2，其他參數(shù)基本一致，采用14nm制程，支持QC3.0快充。

驍龍427：代號(hào)MSM8920，4*A53，主頻為1.4Ghz，Adreno 308圖形處理器，LPDDR3內(nèi)存，基帶從X6升級(jí)到X9，從150Mbps/75Mbps提升到300Mbps/150Mbps，當(dāng)然，也新增支持雙攝，支持QC3.0快充。

　　驍龍835和驍龍660參數(shù)

驍龍660：代號(hào)MSM 8976 Plus，是當(dāng)前的高通中高端處理器驍龍652、653的繼任者，同樣采用了A73 A53構(gòu)架，（也有傳聞表示為自家Kryo架構(gòu)），4*2.2GHz 4*1.9GHz(A73 A53)的CPU核心組合，支持雙通道LPDDR 4x內(nèi)存。基帶也升級(jí)為L(zhǎng)TE X10，GPU也升級(jí)為Adreno 512，支持QC4.0快充技術(shù)。

驍龍835：代號(hào)MSM 8998，是未來高通主打高端取代驍龍820/821的產(chǎn)品。采用自主Kryo 200 4 4的CPU架構(gòu)。采用三星10nm制程，支持四通道LPDDR 4x。基帶也升級(jí)為L(zhǎng)TE X16，GPU使用Adreno 540，首發(fā)機(jī)型預(yù)計(jì)為三星Galaxy S8，支持QC4.0快充技術(shù)。

非旗艦處理器架構(gòu)維持不變、依然小幅度提頻

從現(xiàn)有的規(guī)律看來，定位中端的驍龍?zhí)幚砥髟诩軜?gòu)上不會(huì)有太大改變，依然采用提頻的方法來首提升頻率，小幅提升性能。例如，最近的驍龍625和即將發(fā)布的626，沒有改變CPU架構(gòu)僅提升了主頻，而驍龍653和驍龍652的情況也一樣。

　　驍龍?zhí)幚砥?/p>

不過這個(gè)情況可能會(huì)維持到明年年中，而到2017年年中時(shí)候，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)新架構(gòu)的中端驍龍?zhí)幚砥鳎ㄏ馎73取代A72），順便升級(jí)制程工藝，大幅度提升性能，驍龍660就是一個(gè)很好的例子。而高端系列的驍龍8XX系列，例如驍龍835，則會(huì)大換血，無論是工藝、構(gòu)架、基帶等統(tǒng)統(tǒng)都會(huì)有大升級(jí)。

　　驍龍625

RAM/ROM支持升級(jí)、基帶常規(guī)升級(jí)

在RAM的支持上，新處理器都有所提升，例如新中端驍龍653支持RAM從6GB升級(jí)至8GB，從數(shù)字上的提升去滿足市場(chǎng)需求，畢竟競(jìng)品的中端處理器Helio P20已經(jīng)開始支持LPDDR4X，比驍龍65X的LPDDR3先進(jìn)不少，而往往大多數(shù)消費(fèi)者只認(rèn)容量不認(rèn)內(nèi)存代數(shù)，因此從支持容量上去升級(jí)也是一個(gè)比較機(jī)智的做法。而基帶方面則是常規(guī)的升級(jí)，與同級(jí)別的競(jìng)品相比依然領(lǐng)先。

　　helio P20處理器

總結(jié)：

其實(shí)高通此次的升級(jí)換代也只是小修小補(bǔ)，尚未放大招。除了高端產(chǎn)品驍龍835，面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)更為激烈的中端市場(chǎng)，還得看A73 A53（或自主架構(gòu)）、采用14nm制程的中端驍龍660（以及后來的）大殺器。