隨著近期國內(nèi)半導(dǎo)體制造企業(yè)密集啟動投資項目與產(chǎn)能建設(shè)(未來兩年晶圓制造廠達到10座)，有觀點認為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)黃金發(fā)展期正在到來。但與此同時，在總額高達數(shù)百億美元的投資中，設(shè)備投資將超過75%，而國產(chǎn)設(shè)備商的供應(yīng)能力卻嚴重不足。這意味著絕大部分的設(shè)備投資額將被海外設(shè)備大廠所瓜分(目前在12英寸生產(chǎn)線中設(shè)備的國產(chǎn)率僅約5%)。加強我國半導(dǎo)體設(shè)備廠商的研發(fā)與供應(yīng)能力正變得愈發(fā)急迫起來。

中國大陸將成最大半導(dǎo)體設(shè)備市場

從全球范圍來看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生著第三次大轉(zhuǎn)移，即向中國大陸、東南亞等發(fā)展中國家和地區(qū)轉(zhuǎn)移。根據(jù)IC insights的數(shù)據(jù)，在2007年，中國大陸IC制造產(chǎn)值為45.9億美元，占全球的份額僅為1.96%。但到了2012年，中國大陸IC制造產(chǎn)值迅速上升到89.1億美元，全球份額也提升到3.5%。預(yù)計至2017年，中國大陸IC制造占全球的份額有望達到7.73%。2012～2017年間，中國本地IC制造產(chǎn)值將以16.5%的年均復(fù)合增長率增長。

近兩年，國內(nèi)外半導(dǎo)體制造龍頭企業(yè)紛紛在中國大陸投資興建新的半導(dǎo)體晶圓廠也印證了這一觀點。臺積電計劃在南京獨資建設(shè)12英寸晶圓廠；英特爾大連廠轉(zhuǎn)型投產(chǎn)3D NAND Flash；中芯國際北京B2廠正式投產(chǎn)，B3在建，并在上海、深圳新建12英寸生產(chǎn)線；武漢長江存儲項目2016年3月奠基，將新建NAND&NOR生產(chǎn)線；華力微電子將在上海新建12英寸生產(chǎn)線；晉江新建12英寸存儲器生產(chǎn)線。新一輪產(chǎn)能建廠潮正在到來。

“中國躍升全球半導(dǎo)體第一大市場，但自給率僅為27%，在《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》中已制定明確目標，至2020年芯片自給率將達到40%，2025年達50%。在龐大資金與相關(guān)配套政策扶植下，預(yù)計未來幾年半導(dǎo)體建設(shè)將蓬勃發(fā)展。”SEMI中國區(qū)總裁居龍在接受記者采訪時指出。根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，2016年、2017年全球新建的晶圓廠將達到19座，其中有10座位于中國大陸。

95%設(shè)備訂單可能落入海外廠商囊中

然而，由于國產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)能力嚴重不足，數(shù)量龐大的半導(dǎo)體設(shè)備投資絕大部分將被海外設(shè)備大廠所瓜分。

應(yīng)用材料中國有限公司CFO趙甘鳴告訴記者，一般來說建設(shè)一條12英寸生產(chǎn)線，每一萬片晶圓的設(shè)備投資約為10億美元。根據(jù)工藝先進程度不同或者制造廠商的技術(shù)能力區(qū)別，投資額會上下浮動10%左右。如果未來數(shù)年之間，我國有10條以上的生產(chǎn)線建設(shè)計劃，其中的設(shè)備投資額將是巨大的。

SEMI的數(shù)據(jù)顯示，2015年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場營收達373億美元，其中中國市場營收48.8億美元，占比13.09%；預(yù)計2016年中國設(shè)備市場營收為53.2 億美元，增長9.02%，占比進一步提升至14.07%。中國市場已經(jīng)是未來10年全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)最大的增長動力。

居龍警告說：“盡管中國大陸半導(dǎo)體投資大增，中國大陸設(shè)備廠的供應(yīng)能力卻嚴重不足。” 國產(chǎn)化率偏低，國產(chǎn)設(shè)備的產(chǎn)能還遠不能滿足市場需求。

海通證券的報告也指出，一條總成本約10億美元的8英寸生產(chǎn)線，設(shè)備成本占6.5億美元，國產(chǎn)設(shè)備約可占據(jù)6500萬美元；在12英寸生產(chǎn)線上，設(shè)備國產(chǎn)率約5%；成熟一些的90nm生產(chǎn)線的設(shè)備國產(chǎn)率可以達到8%。

根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體支撐業(yè)分會此前發(fā)布的一份報告，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)水平近年來得到較大提升。在8英寸集成電路制造的主要關(guān)鍵設(shè)備方面，具備了供貨能力，目前刻蝕機、離子注入機、薄膜生長設(shè)備、氧化爐、LPCVD、退火爐、清洗機、單晶生長設(shè)備、CMP設(shè)備、封裝設(shè)備等基本形成國內(nèi)配套能力，技術(shù)水平基本可以滿足用戶要求；在12英寸28納米技術(shù)代的前道主要關(guān)鍵設(shè)備研發(fā)上也取得了很大進步，部分設(shè)備進入大生產(chǎn)線驗證。預(yù)計到2018年，將有40多種裝備可以通過生產(chǎn)一線用戶的考核，進入采購。

總之，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備雖然取得了一定的進步，但總體供應(yīng)能力仍然不足。一條晶圓生產(chǎn)線中設(shè)備用戶一般會綜合采用高、中、低端設(shè)備，高端市場幾乎完全被國外企業(yè)壟斷，即使在中低端設(shè)備市場，我國設(shè)備廠商仍然面臨日韓廠商的競爭。在中國加大半導(dǎo)體制造投資之際，加強我國半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)能力正變得愈加急迫起來。

爭取從0到1的突破

近年來，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展頗為迅速，IC設(shè)計、芯片制造及封裝測試等領(lǐng)域均取得了長足進步。但是，半導(dǎo)體裝備與材料卻存在短板。那么，應(yīng)當如何擺脫這種困境呢？

居龍認為：“目前中國設(shè)備正在取得從0到1的突破，但是要認識到這一進程的長期性。”半導(dǎo)體設(shè)備從研發(fā)到商用，周期都比較長，新產(chǎn)品一般要經(jīng)過2年到4年才可以進入市場，5年至6年開始實現(xiàn)銷售，8年至9年才可能達到收支平衡，10年才可能達到盈利。在這個過程中，中國企業(yè)應(yīng)當不斷提升技術(shù)創(chuàng)新能力，建立自主創(chuàng)新體系。國際上集成電路已實現(xiàn)14納米量產(chǎn)，國內(nèi)與國際先進水平還有2代的差距。中國半導(dǎo)體設(shè)備是從落后追趕到同步發(fā)展。作為后進入者，要替代國外產(chǎn)品，必須要形成白己的創(chuàng)新特色，建立競爭優(yōu)勢，這要求國內(nèi)企業(yè)不斷提升自身研發(fā)創(chuàng)新能力，與用戶密切合作，積累自主知識產(chǎn)權(quán)，提升技術(shù)開發(fā)能力。

中科院微電子所所長葉甜春也指出：“中國裝備企業(yè)要尋找與本土產(chǎn)業(yè)鏈的結(jié)合，制造、裝備、材料等產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)結(jié)合在一起，才能提高自身的競爭力，完善整個產(chǎn)業(yè)生態(tài)，最終使整個產(chǎn)業(yè)受益。”縱觀國內(nèi)半導(dǎo)體裝備企業(yè)，近幾年雖然發(fā)展很快，但與國際企業(yè)相比普遍規(guī)模較小，生存能力較弱，融資渠道不暢，在主流市場上與國外同行競爭仍面臨著許多困難。加之半導(dǎo)體設(shè)備前期投資大，回收期長，企業(yè)單打獨斗將難以為繼，因此，國內(nèi)企業(yè)只有加強合作與整合，資源共享，提高資產(chǎn)使用效率，才能與國外競爭對手抗衡。