英特爾首款SOFIA 3G芯片將在第四季度推出，目前已經(jīng)在臺(tái)積電中科廠擴(kuò)大投片，采用28nm制程工藝。明年上半年，英特爾SOFIA平臺(tái)另兩款芯片也將擴(kuò)大下單。

據(jù)悉，明年上半年英特爾將推出升級(jí)為四核的SOFIA 3G-R，下半年推出SOFIA LTE芯片。此外，英特爾公布了明年的平板芯片技術(shù)藍(lán)圖，根據(jù)藍(lán)圖，首款14nm四核Cherry Trail平臺(tái)明年將問(wèn)世。

英特爾擁有領(lǐng)先的代工廠還找臺(tái)積電代工，主要原因是SOFIA是集成基帶技術(shù)，與Atom獨(dú)立的基帶芯片的制造工藝不同，自己生產(chǎn)需要一定的整合時(shí)間。下一代產(chǎn)品采用14nm工藝，意味著將回歸英特爾自己的工廠。