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IBM儲存技術新突破 新PCM芯片容量翻倍

責任編輯:Zane

2011-07-06 10:29:11

摘自:DoNews

IBM (IBM-US) 研究員研發出記憶儲存新技術,可更可靠地長時間在服務器上儲存數據。此技術稱為相變化內存 (phase-change memory),簡稱 PCM 內存,可取代閃存,閃存在移動設備尚的使用程度相當熱...

IBM (IBM-US) 研究員研發出記憶儲存新技術,可更可靠地長時間在服務器上儲存數據。


 

IBM儲存技術新突破 新PCM晶片容量翻倍 更加可靠 (圖:IBM新PCM晶片)

此技術稱為相變化內存 (phase-change memory),簡稱 PCM 內存,可取代閃存,閃存在移動設備尚的使用程度相當熱門,但在高階企業基礎設施等卻有所限制。

IBM 周賜表示,已研發出一種 PCM 芯片,與其他 PCM 芯片相比,此款可有效讓設備記憶容量翻升一倍,但錯誤率卻仍舊維持低檔。一般 PCM 芯片若長時間儲存數據可能出現一些問題。

獨立研究分析師 Claus Egge 表示:“PCM 芯片的一大問題就是信賴程度,如果你儲存東西的時間太久,就得排除很多錯誤才能叫回檔案。”

IBM 表示,此回改善的 PCM 芯片是成本較低、速度較快且更加耐用的內存,可用在消費性設備和數據中心產品。IBM 可能授權此技術,而不是靠自己制造 PCM。IBM 每年自授權技術的業務,收入約莫 10 億美元。

IBM 預期大概 5 年的時間,自家設計的 PCM 芯片就會應用至伺服器和云端儲存等的產品上,但現在判定 PCM 適用什么市場言之過早了。

IBM 預期,就速度和耐久度而言,PCM 可成為跨越閃存和 DRAM 內存之間差距的橋梁,雖然 PCM 速度無法跟上 DRAM,但讀取和寫入數據速度卻是閃存 100 倍。PCM 也較耐用,寫入循環達 1000 萬次,高于閃存的 3 萬次。

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