韓國科學(xué)技術(shù)信息通信部發(fā)布消息稱，韓國科學(xué)技術(shù)院和高麗大學(xué)聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出下一代超高速磁疇壁存儲器核心技術(shù)，該研究成果刊登在國際學(xué)術(shù)雜志《自然》上。

普通硬盤是通過盤體的旋轉(zhuǎn)來儲存信息，存在能源消耗大，速度慢的缺點(diǎn)，而磁疇壁存儲器是一種通過磁納米線中磁疇壁移動產(chǎn)生運(yùn)轉(zhuǎn)的新概念存儲元件，具有不易揮發(fā)和低耗電的特征。但由于其運(yùn)轉(zhuǎn)速度只能達(dá)到數(shù)百M(fèi)/S，為實(shí)現(xiàn)商用化需研發(fā)能夠使其高運(yùn)轉(zhuǎn)速度的核心技術(shù)。 此前開展磁疇壁存儲器研究多采用“強(qiáng)磁體”物質(zhì)，“強(qiáng)磁體”物質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生的磁化朝同一方向排列，不可避免Walker breakdown現(xiàn)象（磁性物質(zhì)本身帶有的角運(yùn)動），這是是造成運(yùn)轉(zhuǎn)速度低的重要原因。

此次研究團(tuán)隊(duì)使用鐵磁體“GdFeCo”(包含釓 、鐵、鈷的金屬合金）進(jìn)行測試，發(fā)現(xiàn)GdFeCo中的釓和FeCo的磁化以反平行狀態(tài)排列，兩個(gè)角運(yùn)動在零點(diǎn)處重合時(shí)，Walker breakdown現(xiàn)象消失，磁疇壁的移動速度在常溫下上升至2km/s。如在磁疇壁存儲器里加入該研究成果，則有望生產(chǎn)出大規(guī)模、低電量、不易揮發(fā)的下一代高超速儲存器。