責任編輯：editor006 | 2014-11-21 14:00:47 本文摘自：cnbeta網站
摘要：在20號下午的投資者網絡會議上，英特爾透露其將在明年下半年提供基于3D NAND的SSD產品，技術則是來自該公司與鎂光(Micron)在閃存合資企業。據悉，其能夠在單個MLC核心“平面”(2D)上堆疊32層、共計256Gb(32GB)的容量。如果采用3-bit(TLC)方案，那么每單元的容量還可以進一步提升至384Gb(48GB)。
英特爾非易失性存儲事業部總經理兼高級副總裁Rob Crooke表示：3D NAND有望在接下來的幾年時間里催生10TB級別的SSD產品，甚至封裝厚度只有2mm的1TB存儲(非常適合移動設備)。
Crooke指出，3D技術的最大特色是可以在成本上有重大突破，不過英特爾可能不會親自制造3D NAND——即使該公司又能力，但也只會在覺得有意義的時候才會自行生產。
掃一掃
責任編輯：editor006 | 2014-11-21 14:00:47 本文摘自：cnbeta網站
摘要：在20號下午的投資者網絡會議上，英特爾透露其將在明年下半年提供基于3D NAND的SSD產品，技術則是來自該公司與鎂光(Micron)在閃存合資企業。據悉，其能夠在單個MLC核心“平面”(2D)上堆疊32層、共計256Gb(32GB)的容量。如果采用3-bit(TLC)方案，那么每單元的容量還可以進一步提升至384Gb(48GB)。
英特爾非易失性存儲事業部總經理兼高級副總裁Rob Crooke表示：3D NAND有望在接下來的幾年時間里催生10TB級別的SSD產品，甚至封裝厚度只有2mm的1TB存儲(非常適合移動設備)。
Crooke指出，3D技術的最大特色是可以在成本上有重大突破，不過英特爾可能不會親自制造3D NAND——即使該公司又能力，但也只會在覺得有意義的時候才會自行生產。
關于我們聯系我們版權聲明隱私條款廣告服務友情鏈接投稿中心招賢納士
企業網版權所有
2010-2024
京ICP備09108050號-6
京公網安備 11010502049343號
