Kim還提到，根據他最近向半導體業務、買家取得的訊息，PC、行動裝置與資料中心這三大應用產品的需求動能，過去兩周都明顯趨緩，這恐怕會讓第三季報價一路走弱。另外，由于需求降溫的關系，三星電子(Samsung Electronics)、SK 海力士 (SK Hynix )的庫存也愈堆愈多。
聽聞此消息，美光在日前一口氣重挫9.87%、收44.65美元，創2月22日來收盤低，跌幅居費半30支成分股之冠。
美光過去五日的股價走勢
Baird分析師Tristan Gerra才剛在9月4日發表研究報告指出，智慧型手機的買氣動能難以提振，NAND型快閃存儲的供給過剩情況最近日益惡化。Gerra說，預估下半年智慧機的出貨表現將相對疲弱，蘋果 ( Apple Inc. )與中國智慧機供應鏈前景都不太妙。
Evercore ISI分析師CJ Muse 4日報告預測，2019年上半，NAND flash價格將重摔11~13%，他認為目前的存儲定價周期與2014年末到2015年初情況相似，當時也出現存儲裝置需求大跌的狀況。分析師估計，明年上半為止，NAND flash價格將大跌10%以上。
另外，根據FactSet紀錄，晶圓檢測設備制造商科磊 ( KLA-Tencor Corporation )財務長Bren Higgins 6日在花旗全球科技大會上也指出，由于DRAM市況的關系，六周前該公司原本預期10- 12月市況應會大幅好轉，但如今他認為，市況好轉幅度恐會略低于先前預估。他并表示，屆時出貨量應會持平、或出現個位數的減幅，遜于原先預估的持平或個位數增幅。
美國其他半導體設備股同步下挫。半導體測試控制儀器商MKS Instruments, Inc.重挫8.21%、收85美元，創2017年9月8日來收盤低，跌幅在費半30支成分股中僅次于美光。同為費城成分股的半導體蝕刻機臺制造商科林研發公司( Lam Research Corp. )，6日終場也下挫6.97%、收160.05美元，創2017年8月25日來收盤低。
科林過去五天的股價走勢
三星、SK海力士推遲擴產，抑制價格下跌?
過去兩年是存儲產業的好年景，根據Gartner的統計顯示，去年前十的半導體廠商中，其中有一半是來自存儲廠商，前五名的廠商中們也有三個是做存儲的，且這些內存廠商的增長率較之其他行業的廠商，有明顯的領先優勢。三星更是憑借存儲價格的高漲，取代霸占半導體營收排名榜首二十多年的英特爾，成為新的半導體霸主。
全球半導體廠商2017年營收排名
Gartner統計顯示，2017年存儲市場營收增加將近500億美元，市場規模達1,300億美元，較2016年成長61.8%。2017年光是三星的存儲營收就增加近200億美元。DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，2017年DRAM價格上漲超過四成，同期NAND的價格漲幅也近四成。
在今年一季度和二季度，雖然很多分析師多方不看好存儲的走勢，但是DRAM依然還是持續上漲，三星、SK海力士和美光等廠商也都先后宣布了擴產計劃。但進入最近，局面似乎有所轉變。
在上月中，三星宣布，將原訂本季完成每月增產3萬片DRAM計劃，決定延至今年底，為DRAM價格形成有力支撐。隨著三星新產能擴充腳步延后、供給獲得節制，一般預料，DRAM價格在今年11月前都將持穩不墜，臺系DRAM大廠南亞科、華邦電今年營收也將同步繳出創歷史新高佳績。
三星未透露延后此次擴產時間的原因。業界分析，三星的財報當中，存儲已是集團獲利最大來源，占集團總獲利比重高達78%，其中超過七成來自DRAM，在DRAM供需結構中，原本的供給缺口在各家去瓶頸填補下，逐漸縮小，導致近期市況開始松動。
據悉，三星考量若此時再開出每月3萬片產能，將改變原本DRAM市場供不應求局面，恐進一步變成供給過剩，挑動市場敏感神經，導致DRAM價格轉跌。
三星延后DRAM增產計劃，也有法人圈認為進入1x/1y奈米微縮程后，技術難度提高，在良率未明顯改善下，干脆延后。不過從多方角度分析，三星不愿破壞好不容易建立的DRAM獲利模式，進而沖擊集團整體獲利，應該是最大關鍵。
存儲業者分析，三星目前月產能逾40萬片，每月增產3萬片DRAM，等于讓全球DRAM產能增3%，雖然下半年是DRAM備貨旺季，市場通路端和電子應用端大廠卻會等待三星擴建案再出手，導致第2季末市場買氣趨于觀望。
Digitimes援引業內人士的消息稱三星、SK Hynix都打算推遲產能擴容計劃，因為客戶需求放緩導致DRAM內存及NAND閃存價格在2019年上半年下滑。
來到NAND Flash方面，盡管第三季度是傳統需求旺季，但今年全球市場供應仍然很充足，64層、72層堆疊3D閃存產能持續提升，但由于筆記本、智能手機市場都相當飽和，需求增長有限。同時，渠道供應鏈內堆積了大量NAND閃存芯片，進一步導致價格下滑，預計合約價會在今年第三季度環比下降10-15%，超出預期，第四季度則會再降15%。
消息人士稱，行業領導者三星之前主要為自家的SSD及其他產品供應3D NAND閃存，今年Q3季度開始對外提供存儲芯片。消息人士稱三星也在放慢3D NAND閃存產能擴張的計劃，新產能不可能在2019年上半年上線。
由于三星和SK海力士對全球的存儲市場擁有很高的市場份額。他們的這些決定釋放出很強的信號：
據市場調查機構IHS MarkIt的數據顯示，2017年三季度，在全球動態隨機存儲器(Dram)領域，三星電子的市場份額占到了44.5%，排名第一。緊隨其后的是同樣來自韓國的SK 海力士公司，其市場份額為27.9%，這兩家韓國公司的產品占據世界Dram市場超過七成的份額，比第二季度有小幅增加。排名第三至第五的依次為，美國的美光科技(22.9%)、中國臺灣的南亞科技(2.2%)以及華邦電子(0.8%)。
NAND Flash方面，該領域排名前五的巨頭中，三星電子以39%的市場份穩居冠軍，比上季度的市場份額增加0.8%。排名第二至第五的依次為日本的東芝、美國的西部數據、美國的美光科技以及韓國的SK 海力士。三星和SK海力士幾乎占據世界的Nand市場的半壁江山。
對于中國存儲來說，是福是禍?
價格下跌，三星等廠商停止擴產護盤，對于謀求突破的中國存儲廠商來說，是福是禍?
眾所周知，過去兩年，存儲的大幅度漲價，中國成為了最直接的“受害者”，因為缺少關鍵的話事權，無論是供貨還是利潤方面，都沒有很大的商量余地。吃夠了虧的中國半導體產業唯加大投入在DRAM和NAND FLASH的建設中去，并且取得了不小的進展。
在上個月于重慶舉辦的“中國國際智能產業博覽會”上，紫光集團董事長趙偉國透露，紫光集團會在2018 年底量產32 層64G 的NAND Flash 快閃存儲，在2019 年量產64 層128G 的NAND Flash 快閃存儲，并同步研發128 層256G 的NAND Flash 快閃存儲。
紫光集團聯席總裁刁石京也強調，紫光會逐漸朝 64 層的3D NAND 技術研發邁進，且導入 Xtacking 技術，在國際上，存儲產業發展非常長的時間，我們一直在思考如何帶來創新，Xtacking 技術就是最好的展現。紫光今年將量產 32 層的 3D NAND 芯片，明年將量產 64 層 3D NAND，與國際大廠的技術實力再度縮短。
他們還提出了全新的突破性 3D NAND 架構 Xtacking 技術，其輸入輸出速度有望與 DDR4 的 I/O 速度一較高下，且與傳統的 3D NAND 架構相較，Xtacking 技術可通過將外圍電路置于存儲單元之上，實現更高的存儲密度，以及利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，縮短 3D NAND 產品的上市時間。
為了進一步推進存儲國產化，長江存儲的全資子公司武漢新芯集成電路制造有限公司在上個月底(以下簡稱武漢新芯)召開二期擴產項目現場推進會。二期擴產項目規劃總投資17.8億美元，建設自主代碼型閃存、微控制器和三維特種工藝三大業務平臺。
來到DRAM方面，國產存儲三大勢力之一的合肥長鑫在七月中下旬正式投片，產品規格為8Gb LPDDR4，這是國產DRAM產業的一個里程碑。據合肥長鑫的王寧國之前的披露，合肥長鑫的一廠廠房已經于2018年1月建設完成，設備也開始安裝。根據計劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17nn的研發。
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