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存儲元器件漲價 供需失衡還是日韓供應(yīng)商默契聯(lián)手?

責(zé)任編輯:editor004

作者:王晶

2017-06-20 21:05:08

摘自:每日經(jīng)濟(jì)新聞

從2016年第二季度開始,以SSD固態(tài)硬盤為代表,包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的整個內(nèi)存行業(yè),開始緩慢漲價。針對外界認(rèn)為部分日韓供應(yīng)商“默契”漲價的觀點,《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者聯(lián)系了三星方面,不過截至發(fā)稿,尚未獲得回應(yīng)。

從2016年第二季度開始,以SSD固態(tài)硬盤為代表,包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的整個內(nèi)存行業(yè),開始緩慢漲價。進(jìn)入2017年后,漲價的勢頭并沒有停止,整個存儲行業(yè)反而掀起了新一輪的大幅漲價潮。

2015年~2016年上半年,120G/240G的SSD價格一度降至299元/399元,而512G的SSD也有不少低至599元。不過,好景不長,自2016年下半年開始,SSD的價格出現(xiàn)全面上調(diào),漲幅超過市場預(yù)期。

近日,《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者通過線下走訪十多家銷售商家以及采訪業(yè)內(nèi)人士了解到,固態(tài)硬盤等存儲產(chǎn)品大幅漲價的原因是供需失衡。但也有部分業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,此輪漲價背后并非完全由市場供需決定,也不排除部分NAND Flash供應(yīng)商有意為之的可能。

供應(yīng)端:主要廠商暫無增產(chǎn)計劃

從供應(yīng)端看,目前全球范圍內(nèi)從事NAND閃存顆粒的廠商有很多,但能夠有市場定價能力的只有六家,他們分別是三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、英特爾(Intel)、海力士(SKhynix)、美光(Micron)和閃迪(SanDisk),這些企業(yè)很多在中國有生產(chǎn)企業(yè),幾乎壟斷了全球大部分閃存市場。

從行業(yè)看,今年三星、東芝、美光、海力士等主要的內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃,而是進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換,目的是將主要產(chǎn)能從2D NAND制程轉(zhuǎn)向生產(chǎn)3D NAND。2017年,三星新工廠Fab 17和Fab 18都將投入V-NAND生產(chǎn),3D技術(shù)也將向64層提升。

中國閃存市場China Flash Market預(yù)計三星V-NAND生產(chǎn)比重在2017年一季度可達(dá)到45%,二季度將達(dá)到50%以上,在3D NAND爆發(fā)元年將有很大的市場競爭優(yōu)勢。

英特爾在2016年第三季度開始試產(chǎn)32層3D NAND,預(yù)計2017年中期轉(zhuǎn)至64層量產(chǎn);而2016年美光32層3D NAND MLC版本單Die容量32GB,TLC版本容量48GB,是目前除原廠品牌之外,市場3D SSD的主要貨源之一,在3D NAND技術(shù)上,美光選擇了跨過48層NAND閃存,計劃在2017年直接量產(chǎn)64層 NAND顆粒;海力士自然也不例外,2017年海力士計劃提升至72層3D NAND量產(chǎn),公司將在一季度推出樣品,并于二季度開始小批量生產(chǎn),從堆疊層數(shù)來看,已經(jīng)趕上甚至反超競爭對手。

雖然各個廠商都力圖提高制程,但在切換的過程中,3D NAND量產(chǎn)嚴(yán)重不足,良率過低,而2D NAND產(chǎn)能也在下滑,這種局面造成全年內(nèi)存都面臨缺貨的狀況,供不應(yīng)求也導(dǎo)致內(nèi)存價格一路飆升。

行業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)DRAM eXchange的數(shù)據(jù)顯示,NAND閃存在2017年一季度供貨依然緊張,NAND閃存芯片的平均價格在一季度上漲了20%~25%

長城證券在6月初的《電子元器件》周報的標(biāo)題就是,“NAND閃存顆粒依舊供求,全球范圍閃存價格持續(xù)上漲 ”。該周報認(rèn)為,“要等到所有的閃存原廠在3D制程上實現(xiàn)了完全突破,良率獲得大幅提升,幾大原廠能夠在同樣的技術(shù)和成本體系下進(jìn)行競爭,當(dāng)前存儲產(chǎn)品漲價情形可能會得到緩解。通過我們從市場了解到的情況來看,大部分閃存原廠都是在2017年開始量產(chǎn)基于最新堆疊層數(shù)的3D NAND技術(shù)產(chǎn)品,量產(chǎn)的產(chǎn)品經(jīng)過最終封裝和分發(fā)到存儲廠商手中,然后經(jīng)由存儲廠商進(jìn)行產(chǎn)品方案的選擇和最終推出到市場,可能還會經(jīng)歷一段時間。因此當(dāng)前的漲價趨勢可能還會持續(xù)半年以上。”

需求端:智能手機(jī)和服務(wù)器需求大增

在需求端,對于存儲產(chǎn)品的需求越來越大,包括中國企業(yè)大量切入的智能手機(jī)市場、無人機(jī)市場,以及服務(wù)器市場。

首先是智能手機(jī)等數(shù)碼產(chǎn)品容量的提升。目前,智能手機(jī)、筆記本、平板電腦等設(shè)備一直向大容量邁進(jìn),蘋果、三星、華為、OPPO、VIVO等品牌的手機(jī)出貨量都在千萬級別,也加劇了閃存顆粒的稀缺。

二是由于目前固態(tài)硬盤技術(shù)越來越成熟、穩(wěn)定,固態(tài)硬盤開始大規(guī)模應(yīng)用在服務(wù)器市場。事實上,在傳統(tǒng)的存儲行業(yè),一直存在著消費級市場和服務(wù)器級市場。一般來說,新興的存儲技術(shù)在消費級存儲市場得到了充分驗證,保證技術(shù)上的穩(wěn)定后,服務(wù)器級市場便會開始大規(guī)模應(yīng)用。

在固態(tài)硬盤技術(shù)處于2D NAND時代,服務(wù)器級市場幾乎很少使用固態(tài)硬盤作為存儲介質(zhì),但隨著3D NAND Flash從無到有、從32層向64層堆疊,越來越多的服務(wù)器級市場開始進(jìn)行產(chǎn)品的更新?lián)Q代。而此前,Intel官方還在公開場合宣布,隨著3D Xpoint的成熟,Intel將在2017年優(yōu)先生產(chǎn)高速增長的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的固態(tài)硬盤,而不是低成本的消費級固態(tài)硬盤。

三是新的應(yīng)用需求出現(xiàn),包括物聯(lián)網(wǎng)、云計算、智能家庭和智能建筑,以及自駕車、無人機(jī)和機(jī)器人等新應(yīng)用的流行,NOR Flash(非易失閃存技術(shù))作為儲存驅(qū)動程序碼的儲存裝置被大量應(yīng)用。但在擴(kuò)產(chǎn)有限,需求不減反增的情況下,價格勢必持續(xù)上揚(yáng)。

日韓供應(yīng)商‘默契’漲價?

雖然市場方面認(rèn)為內(nèi)存大幅上漲的原因無非就是供需失衡,但也有部分業(yè)內(nèi)人士對記者表示,此輪漲價背后并非完全由市場供需決定,也不排除部分NAND Flash供應(yīng)商有意為之的可能——“很難說這是不是部分日韓供應(yīng)商‘默契’的漲價行為。”

自去年下半年三星發(fā)生了Galaxy Note 7“爆炸門”事件以及實際掌門人受到腐敗指控后,唱衰三星的聲音不絕于耳。在外界看來,這些事件將導(dǎo)致三星的利潤出現(xiàn)大幅下滑,但結(jié)果卻出人意料。

4月27日,三星公布了2017第一季度的財報,公司取得50.55萬億韓元收入,同比增長1.5%;營業(yè)利潤9.90萬億韓元,同比增長48.2%;而凈利潤為7.68萬億韓元,同比大漲46.3%。

事實上,三星今年首季度利潤大增得益于三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的貢獻(xiàn),其半導(dǎo)體部門營業(yè)利潤為6.31萬億韓元,同比大增139.9%;設(shè)備解決方案部門營業(yè)利潤為7.59萬億韓元,同比暴漲225.8%,但I(xiàn)T和移動通信部門的營業(yè)利潤僅為1.07萬億韓元,銳減46.8%。

一些分析師認(rèn)為,2017年的內(nèi)存供應(yīng)將會持續(xù)緊張,隨著NAND、DRAM的繼續(xù)漲價,三星的利潤還將被推高。來自韓國IBK的分析師 Lee Seung-woo曾表示,三星今年第二季度的運(yùn)營利潤可達(dá)12.1萬億韓元,折合110億美元。

可以說,半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將為三星今年的業(yè)績立下“汗馬功勞”,正因如此,三星也在積極鞏固其在NAND Flash市場的競爭優(yōu)勢。三星電子于6月15日宣布已經(jīng)開始大量生產(chǎn)64層256Gb V- NAND,被稱為第四代VNAND。三星目前V-NAND占整體NAND Flash產(chǎn)能的70%以上,隨著64層V-NAND(3D垂直閃存)進(jìn)入量產(chǎn),V-NAND產(chǎn)能比重將更高,并不斷擴(kuò)大在服務(wù)器、PC和移動設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用。

針對外界認(rèn)為部分日韓供應(yīng)商“默契”漲價的觀點,《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者聯(lián)系了三星方面,不過截至發(fā)稿,尚未獲得回應(yīng)。

上述三星固態(tài)硬盤旗艦店的門店負(fù)責(zé)人表示,三星Fab 18工廠已經(jīng)在6月份投入生產(chǎn)64層V-NAND,三星還計劃基于64層V-NAND在第三季度推出UFS3.0新品,以及推出M.2和2.5英寸規(guī)格形態(tài)的SSD產(chǎn)品。與48層256Gb V-NAND相比,新的64層256Gb V-NAND將提高30%以上的生產(chǎn)效率。此外,64層V-NAND是2.5V輸入電壓,與使用48層VNAND的3.3V相比,能量效率提高了約30%。

產(chǎn)業(yè)觀察家洪仕斌認(rèn)為,閃存顆粒的核心優(yōu)勢并不掌握在中國企業(yè)手中,而國際大廠的壟斷也會導(dǎo)致“坐地起價”。其中,三星必須在核心部件中找出盈利空間來彌補(bǔ)其在智能手機(jī)、彩電等領(lǐng)域的營收下滑。

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