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存儲漲價不止:問存儲行業到底怎么了?

責任編輯:editor005

2017-05-29 21:19:04

摘自:中關村在線

大約是從去年年中開始,以固態硬盤為代表的,包括固態硬盤、內存、優盤甚至閃存卡在內的幾乎全部閃存產品,開始緩慢漲價。無論是閃存大戶固態硬盤,還是內存閃存卡等產品線,依舊在漲價的路上越走越遠。

大約是從去年年中開始,以固態硬盤為代表的,包括固態硬盤、內存、優盤甚至閃存卡在內的幾乎全部閃存產品,開始緩慢漲價。一開始的漲價幅度并不是特別大,許多人并沒有在意,也沒有太多人去解讀。

但是隨著時間的推移,到了2016年第三第四季度,漲價的幅度逐漸增大,大幅超過許多人的心理預期價位時,有人開始質疑了:閃存產品為什么漲價如此厲害?然而,存儲產品的漲價風波并沒有就此停下腳步,進入2017年。無論是閃存大戶固態硬盤,還是內存閃存卡等產品線,依舊在漲價的路上越走越遠。

那么,此輪存儲產品線的漲價風波到底緣何而起?此輪漲價風波到底何時方能風平浪靜?我們能否從Computex2017看出一些端倪?下面筆者幫助大家分析一二。

問:固態硬盤和內存為何持續漲價?

在過去的一年,隨著固態硬盤加入主流存儲產品序列,各大閃存原廠開始擴大園區,加速產能,以期推出更多的原廠閃存以供給下游新生的固態硬盤存儲廠商對于閃存原料的需求。然而,無論是擴大園區還是加速產能,幾乎都無法滿足,在去年開始爆發性增長的對于閃存原料的需求,以及隨著固態硬盤走向平民化帶來的利潤率下降問題。

各大閃存原廠開始從閃存技術方面進行革新,先是大量采用TLC替代MLC閃存顆粒,提高量產的同時還能提高利潤率,然而這一招并不能從根基上解決產能不足問題。于是,全行業開始從2D NAND制程轉向3D NAND制程,力圖從提高單位閃存顆粒的最高容量上著手,間接提高整體閃存的出貨量,以滿足整個市場對于閃存原料的需求。

但眾多原廠卻忽視了技術瓶頸,對于3D NAND技術下閃存切割的良品率過于樂觀,致使在2D NAND轉至3D NAND的過程中,遠遠達不到預期產量,反而進一步加劇了閃存供應不足的現實局面,引起全行業的閃存顆粒不足,漲價也是必然的事情。

問:存儲市場何時穩定?

既然存儲產品瘋狂漲價的根源在于閃存顆粒的量產不足,那么唯有等到所有的閃存原廠在3D制程上實現了完全突破,幾大原廠能夠在同一體系下進行競爭,存儲產品漲價的風波才有可能停歇,正如同當下神州大地瘋狂上漲的房價,唯有政府敢于丟卒保車,方破解全局。

現在我們來看一下各大閃存原廠的3D制程都發展階段?根據公開消息,首先是Intel,不久前發布了全新針對服務器級市場的,基于3D Xpoint產品,并在2017年全年加緊供貨服務器級市場;接著是三星,三星最新的Fab18閃存工廠,不久將要投入量產,2017年將是量產的關鍵之年;同樣的東芝Fab2、美光Fab10x以及SK海力士M14等閃存工廠都將在2017年進行量產。

幾乎所有的閃存原廠都將在2017年開始量產基于最新堆疊層數的3D NAND技術產品,量產的產品經過最終封裝和分發到存儲廠商手中,然后經由存儲廠商進行產品方案的選擇和最終推出到市場,可能還會經歷一段時間。

在Computex2017到來之際,各大存儲廠商紛紛發布新品、展示新技術,究竟閃存顆粒產能不足的問題是否能解決?開展之后,我們即將得到答案。

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