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回顧2016年存儲(chǔ)亂象 看固態(tài)硬盤(pán)將漲價(jià)到何時(shí)

責(zé)任編輯:editor005

2017-01-20 14:50:50

摘自:OFweek電子工程網(wǎng)

自去年第三季起,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取顆粒與閃存,紛紛傳出供應(yīng)量吃緊、合約價(jià)格上揚(yáng)的消息。各式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取顆粒的合約價(jià)格,最近幾個(gè)月以來(lái)的平均漲幅達(dá)15~30% 不等,雖然市場(chǎng)供需失衡,晶圓廠想要增加產(chǎn)能也有些分身乏術(shù)。

去年底的時(shí)候,曾經(jīng)和大家談過(guò)全球存儲(chǔ)顆粒供需吃緊,2017年一季度內(nèi)存、SSD隨意上漲個(gè)15%大家不要吃驚,面對(duì)著這樣的緩慢上漲,不少小伙伴郁悶的同時(shí),也在關(guān)心存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)啥時(shí)候是個(gè)頭,2017年有可能回調(diào)嗎?

為何上漲?回顧2016年存儲(chǔ)亂象

自去年第三季起,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取顆粒與閃存,紛紛傳出供應(yīng)量吃緊、合約價(jià)格上揚(yáng)的消息。事實(shí)如此,第四季報(bào)價(jià)明顯往上攀升,市場(chǎng)調(diào)查研究單位當(dāng)時(shí)預(yù)估漲勢(shì)會(huì)維持到今年初。不過(guò)第一季才剛開(kāi)始,市場(chǎng)供需失衡問(wèn)題似乎更加嚴(yán)重,缺貨與漲價(jià)情況有可能維持到今年底。

DRAM與NAND Flash供需失衡是上漲的主要原因,上游半導(dǎo)體廠商因?yàn)閷?duì)市場(chǎng)預(yù)判失誤,總體閃存顆粒供應(yīng)不足,讓整個(gè)市場(chǎng)出現(xiàn)缺貨狀態(tài),而新的技術(shù)產(chǎn)能不足,也加劇了漲價(jià)局面,雖然不能排除經(jīng)銷(xiāo)商、半導(dǎo)體廠商、組裝廠商趁火打劫,但事實(shí)就是內(nèi)存、SSD產(chǎn)品售價(jià)一路上漲。

不僅僅是手機(jī)需求量激增

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取顆粒與閃存持續(xù)喊漲,主要原因是市場(chǎng)各式需求大增,其次為晶圓廠產(chǎn)能策略調(diào)整。現(xiàn)今有太多電子設(shè)備會(huì)用到這兩類(lèi)產(chǎn)品,智能手機(jī)的配備規(guī)格直逼個(gè)人計(jì)算機(jī),是這波漲勢(shì)關(guān)鍵之一。像旗艦機(jī)型所配備內(nèi)存,3~4GB 容量算是基本值,有些廠商更喊出要直上8GB,而內(nèi)部?jī)?chǔ)存空間64甚至128GB也司空見(jiàn)慣。

除了智能手機(jī)需求大增,先前我們?cè)徇^(guò)如服務(wù)器市場(chǎng),在2016年的需求強(qiáng)勁,這和智能手機(jī)更加普及化有所關(guān)聯(lián)。象是大家日常所使用微信、Facebook等各式網(wǎng)絡(luò)服務(wù),隨著使用者人數(shù)與上傳內(nèi)容數(shù)量增加,服務(wù)商自然有擴(kuò)建機(jī)房設(shè)備的必要。服務(wù)器少不了存儲(chǔ)模塊,甚至是極大量的儲(chǔ)存設(shè)備,可見(jiàn)這波漲勢(shì)環(huán)環(huán)相扣。

各式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取顆粒的合約價(jià)格,最近幾個(gè)月以來(lái)的平均漲幅達(dá)15~30% 不等,雖然市場(chǎng)供需失衡,晶圓廠想要增加產(chǎn)能也有些分身乏術(shù)。被指是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器漲價(jià)主要推手的Samsung,據(jù)悉絕大多數(shù)產(chǎn)能已經(jīng)由自家手機(jī),以及Apple等廠商所包下。想當(dāng)然耳,還可以供應(yīng)其他手機(jī)廠、服務(wù)器與個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體的產(chǎn)能,自然是相對(duì)有限。

Samsung在半導(dǎo)體制程轉(zhuǎn)換,以及生產(chǎn)良率等方面都占有相對(duì)優(yōu)勢(shì),較Micron、SK hynix等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手來(lái)得順利又早。因此即便其他廠商想盡辦法擴(kuò)充產(chǎn)能,看似能改善市場(chǎng)供需失衡問(wèn)題并增加營(yíng)收,基于成本因素實(shí)質(zhì)獲利卻不見(jiàn)得會(huì)有多么理想。想當(dāng)然耳,其他廠商自然不會(huì)去做這種殺敵一千、自傷八百的舉動(dòng),倒不如沾光坐收漁翁之利。

DDR4模塊零售通路市場(chǎng)參考價(jià)格信息。以Micron DDR4-2133 8GB模塊為例,去年6月底價(jià)格僅850元(臺(tái)幣),現(xiàn)在已經(jīng)漲到1,429 元,漲幅約為 68%之多。

半導(dǎo)體廠商的謀略

閃存供需失衡同理,尤其晶圓廠想要增加供應(yīng)量也不是那么容易,畢竟產(chǎn)能和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取顆粒有連動(dòng)關(guān)系式。再者,Samsung、Micron、Toshiba、SK hynix幾大廠,近來(lái)陸續(xù)積極加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND制程世代。但是過(guò)程當(dāng)然沒(méi)有那么順利,而且各家目前所能做到的堆棧數(shù)量不一,以致實(shí)際供應(yīng)量說(shuō)不上是很充裕。

更甚者,為了增加3D NAND 產(chǎn)能與出貨量占比,廠商還策略性減少傳統(tǒng)2D架構(gòu)產(chǎn)品供應(yīng)量。這跡象在去年中即可察覺(jué),上、下游市場(chǎng)不斷傳出缺貨的消息,這讓下游的固態(tài)硬盤(pán)制造商只能減產(chǎn),并且加速開(kāi)案導(dǎo)入3D NAND。這問(wèn)題也被預(yù)估將會(huì)加重,2D NAND在總出貨量總占比,今年下半年可能剩下不到50%。

總而言之,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取顆粒與閃存漲聲響起,影響范圍可謂相當(dāng)全面性。即使是一再被唱衰的個(gè)人計(jì)算機(jī),存儲(chǔ)模塊價(jià)格老早已經(jīng)漲了,至于固態(tài)硬盤(pán)是制造商硬撐著,可預(yù)期今年價(jià)格應(yīng)該難以再創(chuàng)新低。眼看農(nóng)歷年即將到來(lái),打算升級(jí)、新組裝計(jì)算機(jī)的人,可別以為最近漲價(jià)的產(chǎn)品只是因?yàn)榧t包行情,存儲(chǔ)模塊甚至是固態(tài)硬盤(pán)還會(huì)貴一陣子。

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