近日，俄羅斯遠東聯邦大學科研工作者奧列格 特列季亞科夫作為俄日美德國際研究團隊的一員，發現斯格明子霍爾效應(skyrmion Hall effect)，這使得制造更高速、廉價、可靠、非易失性的電子儲存器成為可能。

近日，俄羅斯遠東聯邦大學科研工作者奧列格 特列季亞科夫作為俄日美德國際研究團隊的一員，發現斯格明子霍爾效應(skyrmion Hall effect)，這使得制造更高速、廉價、可靠、非易失性的電子儲存器成為可能。

科學家們的工作成果發布在《自然 物理學》(Nature physics)雜志上。奧列格 特列季亞科夫稱，“斯格明子”可能是未來磁存儲技術的基礎。

斯格明子的間距可僅為幾納米，與此同時，現代硬盤的磁疇最少為100納米。此外，以斯格明子為基礎的內存甚至可在缺少電源的情況下保存信息。

特列季亞科夫的同事、俄羅斯遠東聯邦大學的亞歷山大 薩馬爾達克解釋說，現在科學家們已在基于斯格明子研發新的數據儲存和處理系統。這樣的儲存器元件造價更低，并且工作速度更快，更可靠。

未來它們可用于生產電腦、智能手機以及能夠長時間工作無需充電的傳感器。