在上海一場以“匠心獨運，卓越創芯”為主題的IC技術峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發表了題為《發展存儲產業的戰略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰等問題，作了深刻的分析。

為什么中國要發展存儲產業

在詳細介紹為什么中國要發展存儲產業之前，楊士寧首先對存儲產業的整體狀況作了一個分析。根據他的說法，在全球的半導體存儲產品中，NAND 和 DRAM的產值占全球存儲總額的95%。

而隨著云計算、大數據、物聯網等應用的發展，未來NAND的需求會持續增加，這就意味在可見的未來里，存儲產品的需求量的大增，會帶來龐大的市場價值。

中國作為全球的制造基地，在存儲方面的消耗量是驚人的。根據數據統計，中國存儲器的消耗量占全球總消耗量的50%以上，但是當中能由國產廠商供應的存儲產品則是屈指可數。楊士寧表示，目前全球的存儲產品（包括DRAM和Flash）都是由幾家廠商承包，這個對于發展自主可控的中國信息技術產業是一個很大的挑戰。因此發展國產的存儲產業就被提上給了日程。

從另一方面看，存儲產業供應的高度集中，缺少強力的競爭對手，尤其是三星電子在DRAM和NAND上面的全球壟斷，讓很多終端廠商有了顧慮，不少的同行競爭者也是有了其他想法，這就促使具有龐大存儲消耗量的中國去發展存儲產業。

再加上國家推行集成電路發展綱領，成立國家大基金支持集成電路產業的發展。于是存儲就成為了發展的重點。

就這樣，以發展國產存儲為目的的長江存儲順勢成立。

為什么以3D NAND作為突破口

在選定而來聚焦存儲方向以后，接下來就要選擇合適的產品方向，尋求更好的突破。

楊士寧指出，選擇3D NAND作為突破口，是企業需求、外部機遇和市場動力的吻合。這是個技術的問題，更是個經濟的問題。

他在演講中表示，NAND和DRAM都是需要的存儲產品，但是考慮到DRAM有兩個增加難度：1.競爭對手有大量折舊完的產能，這樣的問題也發展在2D NAND上；需求增長相對緩慢，因此長江存儲就選擇了增量巨大，且全球的廠商正在追逐的3D NAND產品作為突破口。

再加上看一下全球競爭對手的布局，與2D NAND和DRAM不一樣，前者是一個高度成熟的市場，且在那個維度沒有什么突破，競爭對手的深厚布局，讓長江存儲沒有更多的機會。而3D NAND 相對來說，則是一個很好的機遇。

會面臨什么樣的挑戰？

楊士寧指出，我們要明確一點，由于對高學歷人才和高端設備的需求，IC制造是一個耗資巨大的產業，這是需要面臨的第一個挑戰。

其次，從存儲產品的的發展來看，在未來的發展也要面臨多方面的挑戰。

其中包括了制程，cell架構，集成度、可靠性、陣列架構和芯片設計等多方面的挑戰，尤其是對于基礎懦弱的中國來說，挑戰更是巨大。

　　怎樣才能成功

在找準了方向，認識到了和國外競爭對手的差距，知道了技術的挑戰所在之后，長江存儲的下一步就是如何發揮自己的優勢，取長補短，收獲成功了。

楊士寧指出，要成功必須要做到這三點，那就是找對人，砸對錢，做對事，這是長江存儲堅持的做事準則。

　　從現狀看來，長江存儲已經取得了不錯的成果。

“長江存儲的32層 3D NAND產品目前進展順利，生產的產品指標都非常良好，并將會在2019年實現滿載產能，這對于長江存儲是一個巨大的挑戰。”楊士寧說。

對于未來的發展方向，楊士寧指出，未來3D NAND帶來的挑戰還是巨大的，但是長江存儲不會簡單跟隨業界的步伐發展，而是選擇通過跳躍式的發展，展望到2019年實現與世界前沿的半代技術差距，2020追上世界領先技術。