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　　原因初探

臺灣地區在存儲器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認為臺灣地區在半導體策略上的一次重大失誤。據筆者觀察有以下三個主要原因：

首先，臺灣地區在發展存儲器產業中主要采用代工模式，而代工模式在DRAM中以失敗告終。

眾所周知，在DRAM產業中有兩個趨勢已成為共識，一個是工藝制程轉變快，緊跟摩爾定律。另一個是月產能達15萬片的超級大廠盛行，投資高達50-80億美元。主要原因是出于運營成本的考慮，運行3個5萬片晶圓廠的成本肯定高過一個15萬片晶圓廠。

按此理分析，代工廠的產能小，無法與IDM廠競爭。當產能足夠大時，一來代工廠擔心未來訂單不足而猶豫擴充產能，同時那些IDM廠又擔心代工廠會與自己爭奪客戶。

另外，從根本上那些IDM廠也不可能把最先進制程的產品交給代工廠。因此，代工模式在DRAM業中受到質疑，中芯國際于2007年退出存儲器代工可能也是基于此理。

其次，臺灣地區存儲器產業中缺乏自有技術，過多的依賴于技術轉移。例如，此前力晶與爾必達，茂德與SK海力士及華亞科與奇夢達（現在的美光）。臺灣地區廠商基本都沒自主技術，等于缺乏脊梁。

這也是臺灣地區存儲器追趕韓國失敗的主要原因。

最后，是全球存儲器的市場未能達到預期。當時，幾乎2/3的新建或擴充產能集中在存儲器產業中，但需求端并沒有快速成長，造成供過于求的局面，最終導致DRAM和NAND閃存價格的持續下跌完全超出市場預期。

臺灣地區存儲器產業經過近5年努力，花費300億美元以上的投資，結果未能超過韓國。一方面表明韓國在存儲器方面的實力之強大；另一方面也證明光靠花錢并不能解決問題。

隨著華亞科在2016年正式被美光收購，也標志著臺灣地區自主存儲器產業沒落，雖然還有相關產業存在，但已不是臺灣地區公司和資本主導。

任何策略都不可能簡單地復制，任何成功都是由多個因素共同促成的。臺灣地區在半導體業總體上是成功的，但是此次存儲器之夢未能實現。