據新華網報道，總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區正式開工。2020年全面建成后，年產值將超過100億美元，實現我國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破。
存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。
此次開工的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Fab廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。
項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。
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