過去幾年，中國正在瘋狂存儲產業，尤其是經歷了2016年的兼并整合以后，中國的存儲產業初具規模。但就目前看來，中國存儲能否大獲成功，就得看在來年，包括Intel、三星、美光等知名的存儲產品供應商是否愿意和中國簽署相關技術授權協議。

對中國利好的消息是，現在行業內的存儲玩家都不想看到三星持續一家獨大的現狀，中國這波掀起對存儲格局的改變，或許會吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。

IC Insights的分析師指出，隨著PC、數據中心服務器、平板、智能手機和其他設備的興起，中國對DRAM和Flash的渴求達到了一個前所未有的階段。所以他們在“十三五規劃”里把發展存儲放在一個重要的位置。

面臨的難題

但坦白說，中國現在的技術儲備，是撐不起中國現在的存儲野心的。其實隨著后續IoT和AI應用的大量興起，存儲需求是會大量攀升的，對于中國來說，如何迅速獲得核心技術，就成為中國存儲產業關注的首要問題。

據分析，中國存儲還是需要關注以下問題：

（1）中國能否自主設計和生產存儲芯片？

（2）如果中國不能自主設計，能否買到有相關技術的公司？

（3）如果美國CFIUS拒絕中國對其本土企業發起的并購，中國還可以從哪里獲得相關技術？

另外還有一個重要的問題，那就是足夠是否能夠籠絡到一批經驗足夠豐富的存儲相關工程師，以撐起其發展的野心。

但換個角度看，存儲供應商同樣面臨困擾（包括美國本土的）。他們需要思考的是一旦中國不想跟他們玩，他們的未來能怎么辦？

這不僅僅是中國市場的問題，還有一點就是隨著技術的發展，研發成本支出也越來越大，對于一些稍欠缺點競爭力的廠商，他們還需要考慮怎樣才能活下去。不差錢的中國恰好能夠解決這兩個問題。

美國硅谷一個不具名的半導體高層表示，如果美光和東芝不和中國達成某種合作，他們應該是最先受到沖擊的。

另一個問題是，假設中國真的如期推出了其存儲產品，那么在未來幾年，全球市場勢必會面臨NAND和Flash產能過程的問題。

IC Insights最近的指出，2016年全球存儲的資金支出大增，但根據過去的觀察，這往往會帶來產能過剩和單價下探的反效果。

這也是中國攪局全球市場，帶來的另一個重要影響

縱觀全球的存儲市場，尤其是在熱門的3D NAND FLASH市場，有三星、SK海力士、美光、Intel、東芝/閃迪、XMC/長江存儲和眾多新進的中國玩家。IC Insights也認為未來3D NAND Flash的市場需求是非常高的，并將會持續增長的。

而在這些玩家之中，三星在其中國西安的工作制造相關的3D NAND Flash產品，SK海力士則在無錫生產DRAM，而Intel也在今年年初，把其大連工廠轉成3D NAND Flash生產基地。

需要提一下的是，中國的晶圓代工廠SMIC從很多年前開始，就逐步停止DRAM業務。

從現在看來，中國本土的存儲產業雖然有點弱小，但是中國大張旗鼓的建設，大基金和政府的支持，這絕對是存儲領域不能忽視的新興力量。

從IC Insights的報告我們得知，中國現有的存儲勢力包括：

（1）長江存儲，這是清華紫光在今年7月收購XMC之后成立的新公司。它的300mm 3D NANND FLASH 晶圓廠已經動工，產線預計2017年底或者2018年初投入使用。

（2）兆易創新和中芯國際前CEO王寧國打造的合肥長鑫，專攻DRAM，預計2017年7月動工。

（3）福建晉華項目，強攻DRAM，由當地政府和聯電攜手打造。預計2018年第三季度量產。

下面我們來深入了解一下：

中國存儲的重要玩家——長江存儲

長江存儲可以說是清華紫光求購兩個美國公司不成的選擇。

在2015年，清華紫光向美光科技發起了一個230億美元的收購邀約，之后又向西部數據一個38億美元的投資協議，但這兩個發起統統都被美國政府方面否定。于是紫光集團將目光瞄向了本土的XMC，在今年7月收購后者之后，成立了長江存儲。

這次的并購釋放出了一個明顯的信號，那就是無論多困難，中國也不會放棄其發展存儲的野心。

XMC本來是由楊士寧（后辭去武漢新芯CEO職位）運營的，之前一直為Spansion（現已被Cypress收購）生產nor flash。在2015年初，XMC宣布和Spansion攜手開發3D NAND Flash。另外，XMC同樣也為兆易創新生產Nor Flash。

新的長江存儲計劃投入240億美元，分三個階段建設一個300mm Fab，現在第一階段的建設已經開工，預計總體建設工程會在2019年完成。相關人士指出，長江存儲將會在2017年底量產32層的3D NAND FLASH，產能達到30萬片每月。而技術則可能來自于Spansion。

但對于這種說法，我是有些疑問的。

在和很多日本從業者交流過之后，他們給我的反饋就是，他們對于XMC所說的3D NAND Flash相關技術存有疑問的。他們認為，雖然官方給出了計劃表，但實際上NAND FLASH什么時候能夠真正量產，都是一個未知之數。

他們更傾向于相信XMC正在加緊開發3D NAND FLASH技術。因為Spansion的3D NAND FLASH從來沒有量產過，很多業者認為，他們的技術還不夠成熟。

就算到XMC真的能拿出32層的3D NAND FLASH技術，并按時量產。但屆時三星和其他玩家甚至可能拿出了100層以上的3D NAND Flash，或者將存儲方向轉向了Intel正在推的3D Xpoint。雖然是有差距，但是對中國來說，也是一個大突破。

而根據行業專家觀點，長江存儲未來在存儲上的投入至少達千億規模。

怎么獲取技術？

如果真如我們所說，XMC的3D NAND Flash技術不夠可靠，那么對于長江存儲來說，可能的選擇是什么？

假設中國又不能從美國人手上買到一個存儲芯片公司（如美光），中國將怎么獲取到存儲的核心技術？JV是一個好選擇么？

換種方式，假設中國真不能買到美光，又能否獲得美光的相關Flash技術授權？市場是也有傳言中國將會和美光簽訂相關的合作協議。

IC Insight的分析師認為，由于美國、日本和韓國等的層層阻撓，中國是不可能輕易能收購到這些國家的企業，甚至相關合作也會是困難重重，所以中國獲得先進的NVM技術和先進DRAM技術的過程，一定是困難重重的。

他還指出，根據存儲的發展規律，現在似乎也進入了存儲產業的周期性轉移階段，中國能否效仿當年的韓國從日本手上搶來存儲產業，將同樣的故事在韓國的身上重演，我們保留觀察。但我們眼見的就是中國臺灣在過去二十年的存儲嘗試是失敗的。

從現狀看來，授權應該是中國獲得相關技術的最可行方式了。專利授權是最好的一個途徑。而根據中國過往的產業發展經驗，這也是有成功經驗可參考的。

例如美光曾經將一些專利賣給了技術研究機構和專利授權公司Round Rock Research LLC，他們擁有豐富的產品線，而產品布局也貫穿整個亞洲、美洲和歐洲。這是中國可以獲取專利的一個方向。

另外，美光還和很多企業有交叉授權，中間有些公司就能提供相關的授權服務。這些公司當中就包括了Quatela Lynch McCurdy。

我們認為XMC遲早會獲得相關技術授權，區別只是時間遲早、價格高低以及合作條件的問題。

至于具體會獲得哪些技術，分析人士指出，美光的3D NAND FLASH是應該沒問題的，但是在Intel和美光共同開發的3D Xpoint上。相關人士指出，現階段Intel是不會輕易點頭的。

但從某個角度看，這也并非是不可能。因為中國和這些跨國巨頭的合作非常緊密。

大家應該還記得在2014年，Intel和紫光集團的一個深度的合作。所以一切都是有可能的。

中國DRAM的前景又如何？

據作者了解到，按照早期規劃，長江存儲原本是想既做Flash，又做DRAM的。但經過了幾個月的運營，形勢逐漸明朗，長江存儲還是只專注于做NAND Flash。

但是DRAM對中國來說，同樣重要，所以中國也不會忽視。另外跟FLASH相比，DRAM的供應商更少，且專利什么的更集中，競爭對手少，但是強大。

聯電和福建政府打造的晉華項目，就是瞄準DRAM而去的。雙方的合作在今年五月份宣布的，這個合作是中國半導體建設的一個重要組成部分。

根據合作協議，聯電會在臺灣成立一個百人規模的研發團隊，而福建晉華則提供研發所需的資金。根據分析人士透露，聯電本身對于進入DRAM是沒有什么興趣，但他們看好和中國合作伙伴共同推進先進技術后帶來的收益。

晉華項目將投資56.5億美元在晉江建立一個300mm晶圓廠，投入先進存儲技術的研發。計劃2018年9月試產，并達到月產6萬片的規模。據透露，初期將會導入32nm制程。

韓國等著，中國來啦

業界傳言，三星、SK海力士和美光之間有一個私下協議，就是聯手阻礙中國存儲的崛起。

但是另外也有人指出，除三星外的其他供應商對于三星長達十數年的存儲領先感到厭煩，他們希望聯合中國把三星拉下馬。

很多硅谷芯片專家也指出，如果在不久的將來，某個或幾個廠商和中國合作，目的就是為了打破三星的壟斷，這也不會讓人驚訝。

韓國人，中國來了，做好準備吧！

但對于中國存儲來說，就算拿到了技術，未來還有很多路要走，因為他們的目標是爬上第一陣型和領先廠商并駕齊驅，甚至尋機超越。

而這則是一個漫長、艱苦且耗資巨大的過程。