據韓國經濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21nm制程生產的DRAM為目前獲利性高的主力產品，2016年底生產比重將達全部DRAM的40%；10nm級DRAM規劃在2017年上半投產。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產72層3D NAND Flash，持續擴大3D NAND的生產比重。
SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產業對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，尤其是智能型手機內嵌LPDDR 4容量向4GB/6GB提升，公司以21nm技術量產的DRAM滿足市場需求變化。
金進國進一步表示，SK海力士啟動21nm DRAM量產的時間比競爭同業略晚，但由于啟用新制程會帶來許多不確定性，因此不得不謹慎看待。經由反復測試所累積的經驗也可視為公司的無形資產，有助于從事更先進制程研發。目前預估2016年底可完成10nm級DRAM研發，計劃在2017年上半投產。
SK海力士NAND研發本部3D技術負責人金基碩(音譯)表示，NAND Flash市場的成長速度比DRAM市場還快，2016年第3季NAND Flash事業成功取得盈余，若持續提高3D NAND Flash的產品競爭力，未來應可穩定維持獲利。
金基碩表示，截至第3季為止3D NAND Flash在整體NAND Flash的生產比重還不到10%，公司計劃在維持2D產品的獲利性下，同時提高3D產品的生產比重，目標2016年底前提升到15%左右。SK 海力士將在2017年上半應可完成72層3D NAND Flash研發，M14工廠也將在2017年投入生產，有助于3D NAND產品的生產比重進一步擴大。
京公網安備 11010502049343號