存儲器和微控制器是半導體產業基石。從產值角度看,存儲器和微處理器是半導體產業的兩大件,分別占半導體產品產值的22%和19%,發展半導體產業,存儲器和微處理器是繞不開的課題。本篇報告通過50+頁的篇幅,詳細論證了存儲器(Memory)行業的發展歷史、周期波動性等特點,以及DRAM、Nand Flash、NorFlash 等子行業的應用領域、競爭格局、市場規模、未來發展趨勢等,最后認為中國企業可以借助Nand Flash 由平面向3D 技術轉換過程中實現彎道超車。
存儲器市場波動性較大。作為電子產業的大宗商品,存儲器市場周期波動性眾所周知,其波動性主要是由根植于存儲器本身的特性決定的:1)存儲器產品需求量大,是半導體產業中的關鍵部件,市場需求可以被迅速推動,這使得大公司總有擴大產能沖動;2)存儲器產品標準化程度高,更新換代快,用戶粘性弱,容易被取代。
存儲器產業未來周期特性難改:宏觀經濟的波動性影響對存儲器的需求,歷史上存儲器價格波動基本都跟宏觀經濟波動正相關,只要宏觀經濟周期不改,存儲器產業周期特性難改;另一方面,從供應角度看, 通過研究存儲器產業以及相關企業的發展歷史,也可以發現存儲器行業的長期波動性并沒有改變,究其原因,在于各大存儲器廠商均有擴張產能基因,我們整理發現,三星、SK 海力士、美光等企業大肆擴張的腳步并未停止。
平面微縮難度加大致技術提升成本太高,3D 轉換機會來臨。無論對于DRAM 還是Flash,隨著平面工藝尺寸縮減難度越來越大,在16nm 左右,采用平面縮減工藝難度和成本已經超過3D TSV 技術。當前技術正處在該轉換節點上。如三星已經量產3D TSV DRAM,美光也提出Hybrid Memory Cube DRAM 以及vertical-Nand,其實質也是采用3D TSV 堆疊技術。
中國可借助3D Nand Flash 技術轉換機會實現彎道超車。從產值角度看,存儲器占半導體產品產值的22%,在半導體產品中算“大件”。發展存儲器產業,對國家整個半導體產業的進步拉動效應明顯。2D Nand Flash 的進步主要是通過微縮技術實現的,而3D Nand Flash 的關鍵技術是極度復雜的刻蝕和薄膜工藝,技術工藝差別較大,而且美光、SK 海力士等巨頭在3D Nand Flash 布局方面走的并不遠。如果中國企業現在通過技術合作,快速切入該領域,在這個技術變革過程中很有可能在存儲器領域實現彎道超車。
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