IBM Research旗下的Almaden研究中心的研究員們將1個比特的數據儲存到了12個原子中，這種存儲技術的密度比NAND閃存技術大了150倍。
他們利用抗磁現象讓12個原子構成一個穩定團體，這種穩定團體能夠將屬性保持數個小時，不會受相鄰團體的影響。1字節需要96個原子，也就是說，如果要儲存“Think”這個字，需要5個模塊，每個模塊由96個原子構成。
IBM希望實現12原子構成的存儲模塊
那些原子可以通過掃描隧道顯微術來控制，整個工作需要在一定的低溫環境下進行。只有在低于Néel溫度下才會出現抗磁效應，具體溫度隨所用材料的不同而不同。 在Neel溫度以上，抗磁效應就消失了。Néel溫度是以開氏溫度定義的，在開氏溫度中，水的冰點溫度為273.15K。
由于抗磁效應的存在，一個原子的磁矩會指向與相鄰原子相反的方向，一組原子都表現出這種行為就會構成一種有序的圖案。磁矩通常會受到原子中的電子的自旋的影響，如果改變電子的自旋方向，就可以改變磁矩。IBM的科學家們利用這種效應開發出了抗磁存儲技術。
IBM表示，利用這種技術儲存的數據量是傳統硬盤儲存的數據量的100倍，這里指的是媒體表面存儲密度而非硬盤外殼。這是一項振奮人心的成績，但是還需20年才能被應用于實際生產。 這項技術非常吸引人，但是從產品角度來說，它在很長很長一段時間里都不可能實現。
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