根據IC Insights最新發布的17年麥克林報告指出，今年半導體行業資本支出增長35%，達到908億美元。

而三星今年在半導體產業支出達到260億美元，是去年支出的兩倍還多。IC Insights總裁Bill McClean表示：“我追蹤半導體行業的37年里，從沒有見過如此激烈的半導體資本支出增長。 可見，今年三星的巨額開支在半導體行業史上是史無前例的。”

下圖顯示了自2010年以來三星為其半導體產業投入的資本支出。2010年，該公司首次為半導體產業投入了超過100億美元。 直至2016年已達到113億美元，這也是連續7年超過100億美元。而今年的資本支出更有望達到新高，激增至260億美元。

IC Insights預計，三星在2017年第四季度半導體行業資本支出為86億美元，將占到其262億美元總開支預算的33%。同時，三星半導體四季度銷售額有望占到全球半導體銷售額的16%左右。

IC Insights估計，今年三星260億美元的半導體支出將分成如下幾部分： 3D NAND閃存：140億美元(包括在平澤工廠的產能大幅增長) DRAM：70億美元(用于流程遷移和彌補由于遷移造成的容量損失的額外容量) 代工/其他：50億美元(用于提升10納米制程能力)

IC Insights認為，今年三星的巨額支出將會對該行業未來格局產生巨大影響。 3D NAND閃存市場可能因此出現產能過剩時期。 這種產能過剩的情況不僅是由于三星在3D NAND閃存方面的巨額支出，而且也是由于競爭對手(例如SK海力士，美光，東芝，英特爾等公司)的大力投入所致。 在某種程度上講，三星的競爭對手只能提高產能，不然只能坐吃山空。

IC Insights認為，三星半導體的資本開支預計將會扼殺中國儲存器廠商的發展，因為一定程度上，他們在打擊自主發展的中國廠商與存儲器巨頭同場競技的資格。那么，中國儲存器廠商何去何從，這將是迫在眉睫需要仔細思考的問題。