今年NAND漲價的姿勢讓人看著不舒服，上游晶圓廠上有意控制產(chǎn)能導(dǎo)致供貨壓力，手機(jī)也因此漲價，就連華為這樣的大廠都曝出了手機(jī)閃存門，NAND漲價著實害人不淺，有人說明年漲價的態(tài)勢還將繼續(xù)。

或許正因為如此，唱衰磁盤的聲音似乎也降低了幾個分貝。Trendfocus CQ3'2017的數(shù)據(jù)顯示，硬盤出貨量從1.03億美元增長到了1.05億美元。

不管閃存盤漲價的態(tài)勢是不是常態(tài)，磁盤勢力仍舊在原來的路上越走越遠(yuǎn)，8碟片，充氦氣，12TB，14TB，16TB，18TB，有的已經(jīng)實現(xiàn)，有的正在路上。

2013年希捷說宣有信心在2020年之做出20TB硬盤，當(dāng)時這是基于SMR（疊瓦記錄）說的，現(xiàn)在常見的6TB、8TB以及12TB都是采用的PMR，近來，談?wù)摰谋容^熱的是HAMR（熱輔助磁記錄），但是HAMR還沒有正式的產(chǎn)品拿出來。

最近的最近，西數(shù)又開始開發(fā)MAMR（微波輔助磁記錄技術(shù)），以這一技術(shù)為基礎(chǔ)，磁盤容量將繼續(xù)保持一個增長態(tài)勢，預(yù)計，到2030年磁盤容量能提升到100 TB水平。

那么，MAMR相對于此前的技術(shù)有哪些優(yōu)勢呢？

我們從PMR說起，采用垂直磁記錄（簡稱PMR）技術(shù)的盤片每平方英寸的容量常見的是1Tb（希捷據(jù)的能做到1.3Tb），增大存儲密度會降低可靠性，增長空間非常有限了，HGST的氦氣盤做到12TB已經(jīng)近乎極限了，所以，需要新的改進(jìn)技術(shù)。

于是后來就有了HAMR，HAMR改變磁極屬性的方法有所改進(jìn)（加熱方式），存儲密度可以有較大提升。基于HAMR技術(shù)，理論上存儲密度可以做到每平方英寸1Tb提升到5Tb以上，另外，希捷表示2018年將會有基于HAMR的16TB以及18TB硬盤推出。

不過，HAMR反復(fù)加熱與冷卻也會降低磁盤的可靠性和壽命，有沒有辦法解決HAMR的問題呢？MAMR用自旋扭矩振蕩器（簡稱STO）生成微波來改變磁性，避免了HAMR加熱帶來的問題。

在技術(shù)實現(xiàn)上MAMR相對于HAMR有很多優(yōu)勢，MAMR與PMR有些類似，而HAMR需要做許多改動，改動的成本會比較高，而且復(fù)雜性也會比較高，而且MAMR的穩(wěn)定性也比較高。

從市場預(yù)期來看，HAMR 最早將于2018年問世，而西數(shù)表示2019年MAMR就會有產(chǎn)品推出，如果真如西數(shù)所言，那么MAMR無疑會為西數(shù)帶來很大優(yōu)勢。

西數(shù)表示，未來MAMR技術(shù)能實現(xiàn)每平方英寸4 Tb的存儲密度，更恐怖的是，他的密度增長空間非常大，每年可保持15%的進(jìn)度繼續(xù)增長。

但是僅靠MAMR是不夠的，除了MAMR以外，西數(shù)介紹的新技術(shù)還有：多級磁頭制動（multi-stage head actuation）和 “大馬士革”磁頭結(jié)構(gòu)。

“大馬士革”磁頭技術(shù)：“大馬士革”（Damascene）工藝能讓磁道更窄，排列的更緊，相應(yīng)的磁頭也要為更高密度做一些修改，以便讓磁盤找的更準(zhǔn)，簡單點說就是給磁盤臂加個關(guān)節(jié)，這樣可以更好的定位目標(biāo)。

基于此，西數(shù)發(fā)布了容量增長趨勢圖，圖中可見。2025年會有40 TB容量磁盤磁盤， 2032年磁盤將達(dá)到105 TB。

所以，到2030年，磁盤相對SSD還將保持跟現(xiàn)在差不多的價格優(yōu)勢。圖中可見這是把QLC考慮在內(nèi)的結(jié)果。

單塊磁盤容量過去幾年的增長有些趨緩，讓人感覺增長的勢頭到頭了，然而，磁盤老大哥這些舉動，最終導(dǎo)致其相對SSD的價格對比并沒有發(fā)生想象中的變化。

如果一切進(jìn)展順利，那么HDD和SSD的優(yōu)勢還將繼續(xù)保持下去，SSD繼續(xù)朝著性能更高更強(qiáng)發(fā)展，磁盤繼續(xù)朝著容量增長的方向發(fā)展。