存儲器供不應求情況改善、價格漲勢趨緩，不少人憂心好景不再。但是兩家外資出面喊多，預測存儲器會一路旺到 2018 年，美光（Micron）等將受惠。

　　巴倫周刊（Barronˋs）兩篇報導稱，摩根士丹利（大摩）分析師 Joseph Moore 14 日報告稱，他們和運算端客戶談話發現，存儲器短缺情況好轉，不過市場仍然暢旺，云端客戶估計供給會一路吃緊到明年，今年第四季行動 DRAM 價格將續漲。此外，當前 DRAM 和 NAND 現貨價走勢持平，但是仍高于合約價。

　　Stifel Nicolaus 分析師 Kevin Cassidy 參加美國加州 Santa Clara 的快閃存儲器峰會，注意到 NAND 持續短缺。Cassidy 報告稱，盡管資本開支飆升，與會者仍大談 NAND Flash 供給吃緊。這是因為經費主要用于增加晶圓層數，而非晶圓產能，預估 NAND Flash 供不應求情況會延續到 2018 年。

　　Cassidy 指出，美光具有優勢。報告稱，美光 Flash 存儲器的成本結構大幅改善，未來還會繼續降低。美光重申該公司 3D NAND die 尺寸為業界最小，成本更具競爭力。美光 3D NAND die 體積小，是因采用浮閘式（Floating Gate）架構，此種架構常用于平面 NAND。三星、東芝、SK 海力士（SK hynix）則采電荷捕捉層式（Charge Trapping Layer）架構。