據外媒報道，磁性隨機存取內存(MRAM)將在今年達到一個新的里程碑。Everspin宣布開始嘗試打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，另外他們已經將這款高壽命、非易失性的內存芯片生產提上議程。 Everspin的ST-MRAM能夠提供持久的記憶能力，相較于普通的NAND閃存技術，它可以減少寫入放大倍數并擁有更好的耐用性。

這款新芯片采用的則是一個兼容DDR4的接口。這家公司表示，供應商可以利用持久的記憶技術設計企業級SSD或對現有的儲存產品展開進一步的改善。

據了解，ST-MARAM的密度要比公司旗下現有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出，從Global Foundries的40nm工藝到foundry 28nm工藝的轉變是開發這種千兆級芯片的關鍵，另外它還展示了公司垂直磁性隧道結(pMTJ)的可擴展性。

首批配備Everspin全新千兆MRAM芯片的產品之一將來自Smart Modular公司。該公司計劃發布一款NVMe PCIe硬盤，它的重量和長度都將減半，其將用于元數據緩存和儲存加速應用。Smart Modular表示，該產品單元在4K隨機讀寫測試中能夠達到1500K IOPS。

眼下，Everspin正在閃存峰會(Flash Memory Summit)展示他們的1Gb ST-MRAM。

早在20多年前，由于其不易揮發的特性，MRAM就被視為取代NAND閃存的潛在高性能產品。不過，從產品容量的角度來說，該技術還遠遠無法 參與競爭。

MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高速讀寫能力，以及Flash不揮發性的特性，在Cell面積上也和DRAM比例相近，而重復讀寫次數和DRAM、SRAM相同，操作電壓也近似，可說是集各種記憶體優點于一體的產品。它的主要競爭對手是快閃記憶體，目前一些公司如三星、東芝、Intel正在不斷開發更快更高容量的閃存式存儲裝置。

MRAM的優勢在于其性能以及低功耗。在未來，內存技術有望超越閃存甚至是DRAM，達到SRAM的水平。只要獲得與閃存和DRAM相同的投資力度以及存在同樣大的市場需求，MRAM也有望稱為未來主流內存產品。

來自飛思卡爾的技術支持?

大概十年前，飛思卡爾半導體宣布該公司將與多家創投公司集資成立一間以磁性隨機存取存儲器(MRAM)為主要產品的獨立新公司——EverSpin Technologies，致力于提供并擴充現有的獨立MRAM產品線及相關磁性產品。據悉飛思卡爾半導體將把磁阻式隨機存儲器的相關知識產權移交給Everspin科技，而Everspin的后盾則是風險投資公司例如Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。

飛思卡爾表示將會把原有的MRAM技術、相關的IP及產品轉移給EverSpin Technologies，但在新公司內仍保有一定的股份權益。飛思卡爾亦將繼續研制以EverSpin之MRAM技術為根基的嵌入式產品。

該公司表示，MRAM將磁性材質與傳統硅晶線路結合在單一的永久耐用元件當中，不但兼具SRAM的速度，也具備快閃存儲器的非揮發性。MRAM元件的設計將非揮發性存儲器及RAM的優勢合而為一，讓新型的智慧型電子裝置能擁有“立即開啟”及防備斷電的功能。

根據協議，EverSpin Technologies會取得MRAM制造資產的所有權，并以亞利桑那州的Chandler為基地，繼續供應產品給飛思卡爾現有的個別MRAM用戶。此外，EverSpin會提供MRAM技術給飛思卡爾，以便運用于飛思卡爾的嵌入式產品。