日前，東芝正式宣布在日本四日市新建工廠，用來擴(kuò)大生產(chǎn)其專有的3D NAND Flash——BiCS FLASH。東芝希望通過開發(fā)最新的BiCS FLASH和新一代的存儲(chǔ)器擴(kuò)大其存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，積極響應(yīng)市場(chǎng)需求，并擴(kuò)充投資，提升其產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

東芝在2016年3月就曾表示要建造一個(gè)新的BiCS FLASH工廠，并計(jì)劃在未來3年內(nèi)投資額達(dá)8600億日元，其中包括建新3D NAND工廠，更新現(xiàn)有設(shè)備等，現(xiàn)在終于給出了新工廠建設(shè)的時(shí)間表。

東芝表示，預(yù)計(jì)將在2017年2月開始動(dòng)工新建專用于生產(chǎn)3D NAND Flash存儲(chǔ)芯片的晶圓廠。和Fab 5工廠一樣，新晶圓工廠的建設(shè)也將分兩個(gè)階段，以優(yōu)化投資步伐和市場(chǎng)趨勢(shì)，其第一階段預(yù)計(jì)將在2018年的夏天完成，該工廠將具備防震和環(huán)保的設(shè)計(jì)，內(nèi)部LED全照明，配備最新的節(jié)能制造設(shè)備，還將引入先進(jìn)的人工智能（AI）生產(chǎn)系統(tǒng)以提高整體生產(chǎn)力。

東芝還計(jì)劃在新建的工廠附近設(shè)立一個(gè)專門Memory研發(fā)中心，這各舉措將匯集來自不同地方的研究成果，同時(shí)推動(dòng)NAND Flash技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度。

　　● 東芝2006年新建Fab 4工廠，2007年投產(chǎn)。

● 東芝與SanDisk合資在2010年新建Fab 5工廠，2011年開始投產(chǎn)。

● 東芝與SanDisk合資在2013年新建Fab 5二期工廠，2014年開始投產(chǎn)。

● 東芝與SanDisk合資在2015年將Fab 2工廠改建成3D NAND專用工廠，于2016年開始投產(chǎn)。

在NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)，面對(duì)三星早早投入3D技術(shù)生產(chǎn)，東芝表現(xiàn)的比較淡定，可能認(rèn)為64層以下3D技術(shù)相較于當(dāng)時(shí)2D 1znm工藝沒有成本優(yōu)勢(shì)，所以并未大量投產(chǎn)3D NAND，2016年量產(chǎn)的48層3D NAND也不對(duì)外銷售。

隨著3D技術(shù)發(fā)展到64層堆疊，東芝2016下半年宣布64層堆疊3D NAND開始送樣，初期存儲(chǔ)密度為256Gb容量，然后再提高到512Gb量產(chǎn)，目標(biāo)是在2017年將整體3D NAND生產(chǎn)比重提高至50%，2018年度進(jìn)一步提高至90%左右的水平。

東芝是第二大NAND Flash芯片制造商，為了提高BiCS FLASH投產(chǎn)，在2015年改建的Fab 2工廠已于2016年進(jìn)入初期投產(chǎn)階段，再加上東芝宣布3D技術(shù)進(jìn)入64層堆疊，其產(chǎn)能規(guī)劃，市場(chǎng)策略等都將影響NAND Flash市場(chǎng)的發(fā)展。

對(duì)于新建的Fab工廠的總體產(chǎn)能、設(shè)備投資、生產(chǎn)能力、生產(chǎn)計(jì)劃和投產(chǎn)時(shí)間，東芝表示將視未來市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)向而定，而且東芝也希望繼續(xù)與Western Digital(WD)進(jìn)行協(xié)商、討論，就新工廠的共同投資和閃存合資企業(yè)的運(yùn)營。

東芝上調(diào)2016財(cái)年預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)，截止至2017年3月的營業(yè)利潤將達(dá)到1800億日元(約合17.7億美元)，較此前預(yù)計(jì)的1200億日元(約合11.8億美元)增長50%。