在10月14日的英特爾固態盤媒體溝通會上，英特爾公司非易失性存儲器（NVM）解決方案事業部客戶端固態盤戰略規劃及市場總監 David T Lundell出席介紹了英特爾固態盤的發展現狀并重點介紹了英特爾新發布的固態盤600p系列產品的技術和成本優勢。

英特爾的固態盤的戰略是希望為用戶提供一個延遲和成本平衡的計算存儲單元。英特爾有兩個非常重要的技術，第一個技術是Optane技術，第二個是3D NAND技術，Optane技術可以非常快的提高固態盤性能，從而使性能達到內存運算的級別，它是更高效、更快速的存儲介質。3D NAND適用于另外一種場景，即是在很大數據量、很低的成本的情景下，需要用3D NAND的技術來實現。

隨著3D NAND技術的發展，可以像建樓層一樣的技術使得采用3D NAND技術的固態盤能夠擁有高密度、低成本的存儲容量。而實現更大的內存、更快的Intel全新的Optane SSD技術，采用了全新設計的3D XPoint非易失性存儲技術，實現容量更大，和速度也要比3D NAND閃存更快。

英特爾借助3D NAND、3D XPoint等基于存儲介質和技術的創新來幫助用戶在提高數據處理的速度，把數據能夠安全的存儲下來。

基于Intel 3D NAND技術的產品相對于其他的3D NAND產品有兩個優勢，第一Intel采用的浮柵技術，而其他廠家采用的是電荷捕獲技術，David T Lundell認為相對于新的電荷捕獲技術，浮柵技術是經過十幾年驗證的成熟技術，因此英特爾閃存盤在數據存儲安全方面有著明顯的優勢。

第二，擴展性更好，在整體架構上，英特爾把CMOS電路放在NAND下面的，“而友商是把CMOS電路放在存儲單元的周圍，他們需要打一根釘子，隨著層數增高，打孔的技術困難性會不斷增加，而英特爾因為把這個CMOS電路放在NAND之下，未來我們做擴容的時候。”David T Lundell談到。因此相對于其他廠家的層數需要像釘子一樣固定一樣，英特爾3D NAND技術用戶在CMOS陣列上實現更好的陣列效率，其擴展性更好。

而英特爾能夠實現每個晶片上更多的容量，Intel 32層 /TLC能夠實現2.86Gb/平方毫米的容量大小。在相同大小的面積上，實現的容量大小比其他品牌高11%。

為此，針對消費級客戶端市場，英特爾最新發布的600p系列固態盤采用20納米工藝的32層3D NAND技術的閃存顆粒。單面 M.2接口，可以實現更小體積更好的性能。32層3D NAND可以實現1TB容量大小的硬盤。可以提供相當于傳統硬盤17倍或SATA固態盤最高達3倍的性能。成本與SATA SSD，但是提供3倍的性能。同時擁有英特爾固態盤一直具備的超強的可靠性及耐用性，五年質保讓用戶在其完整生命周期中都能獲得穩定的性能。

現場攀升科技產品研究院副院長王若海基于英特爾最新推出600p系列固態盤的體驗，認為目前基于3D NAND的閃存是溫數據的最佳載體，而且從數據處理看其也是DRAM與NAND之間的一個連接器。并坦言全新英特爾固態盤將有效填補固有存儲性能缺口，對于消費者來說是一個不錯的選擇。

英特爾公司非易失性存儲器（NVM）解決方案事業部客戶端固態盤戰略規劃及市場總監David T Lundell

目前，采用英特爾固態盤600p系列的機型搭建的平臺已經在寧美國度、攀升兄弟等DIY行業用戶中獲得成功應用，并為消費者提供卓越的應用性和穩定性。“這幾款全新推出的固態盤是英特爾三十余年在存儲器技術創新方面承諾的體現。我們也希望能夠借助3D NAND、3D XPoint這樣可信的、突破性的技術并聯合生態系統合作伙伴改變存儲經濟性的問題，”英特爾公司非易失性存儲器（NVM）解決方案事業部客戶端固態盤戰略規劃及市場總監David T Lundell表示：“為了實現這一目標，英特爾將繼續聚焦存儲技術創新，針對不同應用場景提供不同的產品，并立足于市場、服務于用戶需求，會為各級市場用戶提供持續的產品供應與技術支持，以及超乎想象的應用體驗！”