SanDisk公司的ReRAM成為西部數據手中強有力的XPoint競爭牌。

在完成對SanDisk公司的收購之后，西部數據正積極利用ReRAM——即電阻式RAM技術——對英特爾與美光打造的XPoint發起沖擊。

去年10月，SanDisk方面曾經與惠普企業業務公司聯手對抗XPoint。雙方簽訂了合作協議以開發存儲級內存（簡稱SCM），即一款擁有DRAM級訪問速度的非易失性存儲介質。這意味著其數據訪問速度要遠高于NAND。雙方當時曾經表示，其SCM技術“預計能夠在速度上達到閃存存儲方案的1000倍，使用壽命亦可達閃存存儲方案的1000倍。”

惠普方面隨后拿出了自己的憶阻器技術，而SanDisk則打造出ReRAM技術。在西部數據收購SanDisk之后，我們一直在等待著ReRAM能否仍然成為反XPoint的有力武器。另外，追溯至2014年，西部數據所收購的HGST也曾經展示過其讀取延遲僅為1.5微秒的相變式內存（簡稱PCM）設備。這應該也是一款有潛力對抗XPoint的解決方案。

在上周的閃存記憶體峰會期間，西部數據企業內存技術部門執行副總裁Siva Sivaram透露稱，西部數據方面將專注于利用3D ReRAM技術對抗XPoint。ReRAM在彌合DRAM與NAND之間的性能與成本鴻溝方面，優勢要較PCM更加明顯。

Anandtech網站轉載了Sivaram使用的演示文稿，感興趣的朋友可以直接點擊查看。SCM今年將以高速存儲方案的姿態出現，并將在2017年作為DRAM擴展方案，而2018到2019年間的發展目標是逐步取代DRAM，最終于2020年成為通用型內存存儲介質。

對于Sivaram而言，如今的存儲級內存的價格/性能定位處于NAND與DRAM之間，其中NAND的訪問速度約在10萬到25萬納秒，而DRAM則為50到100納秒。另外，DRAM的每GB使用成本要比NAND高出20倍。他表示SCM的訪問延遲水平在250到5000納秒之間，并指出其使用成本為NAND的四到五倍。

Sivaram還公布了ReRAM-DRAM成本關系預期發展圖，并通過一份演示文稿指出DRAM目前的成本為ReRAM的兩倍，而到2023年這一成本對比關系將達到二十倍，這主要是受到ReRAM技術改進與量產化的推動。他同時表示，西部數據的ReRAM將采取分層架構，類似于3D NAND以及XPoint。

SanDisk方面曾于2013年致力于開發一款雙層、32 Gbit、24納米交叉點ReRAM晶片，其中交叉點一詞是指該晶片的架構設計思路。很明顯，其與同樣使用交叉點架構但制造材料完全不同的英特爾/美光XPoint方案有所區別，后者也并沒有使用電阻式RAM技術。事實上，XPoint使用的是硫系晶體的批量變化機制，類似于PCM的設計方向。不過英特爾與美光雙方曾再三強調，其XPoint并不屬于PCM技術。

他同時表示，考慮到ReRAM的延遲水平、使用壽命、成本、3D可擴展性、規模化與容量效率外加生態系統支持，西部數據選擇了它作為SCM實現方案。其可部署在機架規模的服務器節點設計體系當中，并借此訪問共享式與池化SCM，并利用CPU、存儲在各類計算設備甚至是智能手機當中構建組合式基礎設施——西部數據想得確實夠遠。

我們目前還不太清楚ReRAM技術在IOPS與數據吞吐能力方面的具體性能參數，也不了解其設備規格及發展路線圖; 該項技術距離實際生產還有很長的道路要走。西部數據公司將把自身3D NAND制造技術引入ReRAM芯片生產，且ReRAM晶片將擁有多層交叉點存儲單元。

西部數據可能利用SCM控制器與SCM介質實現實際部署。

那么我們何時才能迎來實際產品？也許要到2017年的閃存記憶體峰會。當然，具體時間點甚至有可能更加靠后。