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三星推出高速Z-SSD方案,矛頭直指XPoint

責任編輯:editor007 |來源:企業網D1Net  2016-08-12 22:24:45 本文摘自:ZDNet至頂網

 

三星推出高速Z-SSD方案,矛頭直指XPoint

Z-SSD實拍圖

閃存巨頭再度發力:三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構建而成,即三星旗下的V-NAND品牌,同時配合TLC(即三層單元)設計。

64層 V-NAND

64層TLC V-NAND最初公布于今年8月底,其能夠提供超越當前256 Gbit 48層技術的存儲容量。目前512 Gbit(64 GB)芯片已經完成,意味著其能夠將SSD存儲容量翻倍。三星方面指出,這套方案的IO速度為每秒800 Mbit。

西部數據/東芝也擁有自己的64層3D NAND技術,名為BiCS,目前正處于實驗性階段,芯片容量為256 Gbit。

三星方面可能會利用其64層V-NAND芯片打造一款8 TB且尺寸大于M.2的SSD產品。其物理尺寸為22毫米x 110毫米。在利用此款產品的情況下,企業級服務器能夠在1U空間內實現256 TB NAND存儲容量。標準的M.2尺寸則可能用于構建搭載同款芯片的三星4 TB產品。

首款采用64層V-NAND芯片的產品預計將在2016年第四季度推出,據猜測其可能是一款采用BGA尺寸設計的平板型設備。

32 TB SSD

三星還將推出一款面向企業數據存儲場景的2.5英寸SAS連接SSD產品,其中包含32個1 TB組件堆棧,每套堆棧由16個512 Gbit芯片堆疊而成。換句話來說,我們將迎來一款對分層式閃存芯片進行分層疊加的存儲方案。

三星公司目前的最高容量SSD產品為2.5英寸15.36 TB PM1633a。此款驅動器當中包含32套封裝堆棧,每套堆棧容納有512塊256 Gbit 48層V-NAND芯片。此前的PM1633產品則采用32層128 Gbit芯片,總體容量為3.84 TB。

這款32TB SSD將沿用512 Gbit芯片所采用的基礎雙層布局,其最終定名為PM1643,預計將于2017年年內發售。

三星推出高速Z-SSD方案,矛頭直指XPoint

三星PM1643

SSD容量宣傳之戰已然打響

三星公司認為,其將能夠在2020年推出100 TB SSD產品; 這可能代表著再進行兩輪V-NAND技術升級,即將其2 Tbit芯片提升為128層結構--但這純粹只是我們的猜測。

希捷公司則公布了一款3.5英寸60 TB SSD產品,其可能塞進了1250塊384 Gbit美光32層TLC芯片。

東芝公司則在探討利用QLC(即四層單元)閃存打造100 TB SSD的可能性。

1TB BGA

三星公司還擁有一款1TB BGA(即球柵陣列),其容量達到東芝采用48層BICS技術的TLC NAND 512 GB BG1 BGA封裝方案的兩倍。

三星推出高速Z-SSD方案,矛頭直指XPoint

三星1TB BGA

三星的BGA產品采用TLC閃存、LPDDR4移動DRAM與一款三星控制器。其連續讀取/寫入性能分別為每秒1.5 GB與每秒900 MB。其容量僅為1克,而且應該會采用FO-PLP(即無風扇板極封裝)并于明年年內推出。其尺寸據信為11.5毫米x 13毫米。

Z-SSD

三星方面將于今年年內推出一款1 TB Z-NAND SSD產品,其采用的3D V-NAND芯片擁有"獨特的電路設計",同時搭配經過調整的控制器,能夠提供遠超其它V-NAND SSD的速度表現。其延遲水平僅相當于其它V-NAND SSD的四分之一--三星公司將其稱為"極低"--連續讀取性能則為三星PM963 NVMe SSD的1.6倍。

下面來看三星公司對于Z-SSD技術的描述:

三星的Z-SSD采用V-NAND基礎結構并配合一套獨特的電路設計及控制器,能夠最大程度提升性能水平,其延遲與連續讀取性能水平分別達到三星PM863 NVMe SSD的四分之一與1.6倍。

與V-NAND共享基本結構證明其同樣屬于NAND并采用分層設計,但以上內容由韓語直接翻譯而來,所以準確性仍然有待商榷。

PM963的最高連續讀取傳輸帶寬為每秒1.6 GB,而新一代Z-SSD的同項參數則可提升至每秒2.56 GB。

不過要弄清其延遲水平則相對困難,因為三星方面壓根沒有公布過PM963的延遲。美光9100 NVMe SSD的寫入延遲為30納秒,同等比較之下這可能意味著Z-SSD的延遲為7.5納秒--與英特爾的Optane XPoint 7納秒延遲基本相當。

三星推出高速Z-SSD方案,矛頭直指XPoint

三星的Z-SSD方案:對于1 TB存儲容量來說,這樣的體積似乎確實有點太大了,再加上相當夸張的散熱片設計。

三星公司將其性能水平定位在SSD與DRAM之間,這明顯代表著其將成為Xpoint的競爭對手。三星方面計劃利用其處理各類高密度實時分析處理場景下,同時亦適合作為各類工作負載的高性能處理方案。

其中"獨特的電路設計"可能代表著其采用SLC芯片(即單層單元),這意味著其在基礎層面擁有遠超MLC(即二層單元)或者TLC(三層單元)產品的讀取與寫入速度。不過利用SLC閃存實現XPoint級別的速度表現仍然可能性很低--事實上,根本不可能。

Z-SSD將于2017年年內發布2 TB與4 TB兩種容量版本。

關鍵字:Z-SSD三星公司

本文摘自:ZDNet至頂網

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責任編輯:editor007 |來源:企業網D1Net  2016-08-12 22:24:45 本文摘自:ZDNet至頂網

 

三星推出高速Z-SSD方案,矛頭直指XPoint

Z-SSD實拍圖

閃存巨頭再度發力:三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構建而成,即三星旗下的V-NAND品牌,同時配合TLC(即三層單元)設計。

64層 V-NAND

64層TLC V-NAND最初公布于今年8月底,其能夠提供超越當前256 Gbit 48層技術的存儲容量。目前512 Gbit(64 GB)芯片已經完成,意味著其能夠將SSD存儲容量翻倍。三星方面指出,這套方案的IO速度為每秒800 Mbit。

西部數據/東芝也擁有自己的64層3D NAND技術,名為BiCS,目前正處于實驗性階段,芯片容量為256 Gbit。

三星方面可能會利用其64層V-NAND芯片打造一款8 TB且尺寸大于M.2的SSD產品。其物理尺寸為22毫米x 110毫米。在利用此款產品的情況下,企業級服務器能夠在1U空間內實現256 TB NAND存儲容量。標準的M.2尺寸則可能用于構建搭載同款芯片的三星4 TB產品。

首款采用64層V-NAND芯片的產品預計將在2016年第四季度推出,據猜測其可能是一款采用BGA尺寸設計的平板型設備。

32 TB SSD

三星還將推出一款面向企業數據存儲場景的2.5英寸SAS連接SSD產品,其中包含32個1 TB組件堆棧,每套堆棧由16個512 Gbit芯片堆疊而成。換句話來說,我們將迎來一款對分層式閃存芯片進行分層疊加的存儲方案。

三星公司目前的最高容量SSD產品為2.5英寸15.36 TB PM1633a。此款驅動器當中包含32套封裝堆棧,每套堆棧容納有512塊256 Gbit 48層V-NAND芯片。此前的PM1633產品則采用32層128 Gbit芯片,總體容量為3.84 TB。

這款32TB SSD將沿用512 Gbit芯片所采用的基礎雙層布局,其最終定名為PM1643,預計將于2017年年內發售。

三星推出高速Z-SSD方案,矛頭直指XPoint

三星PM1643

SSD容量宣傳之戰已然打響

三星公司認為,其將能夠在2020年推出100 TB SSD產品; 這可能代表著再進行兩輪V-NAND技術升級,即將其2 Tbit芯片提升為128層結構--但這純粹只是我們的猜測。

希捷公司則公布了一款3.5英寸60 TB SSD產品,其可能塞進了1250塊384 Gbit美光32層TLC芯片。

東芝公司則在探討利用QLC(即四層單元)閃存打造100 TB SSD的可能性。

1TB BGA

三星公司還擁有一款1TB BGA(即球柵陣列),其容量達到東芝采用48層BICS技術的TLC NAND 512 GB BG1 BGA封裝方案的兩倍。

三星推出高速Z-SSD方案,矛頭直指XPoint

三星1TB BGA

三星的BGA產品采用TLC閃存、LPDDR4移動DRAM與一款三星控制器。其連續讀取/寫入性能分別為每秒1.5 GB與每秒900 MB。其容量僅為1克,而且應該會采用FO-PLP(即無風扇板極封裝)并于明年年內推出。其尺寸據信為11.5毫米x 13毫米。

Z-SSD

三星方面將于今年年內推出一款1 TB Z-NAND SSD產品,其采用的3D V-NAND芯片擁有"獨特的電路設計",同時搭配經過調整的控制器,能夠提供遠超其它V-NAND SSD的速度表現。其延遲水平僅相當于其它V-NAND SSD的四分之一--三星公司將其稱為"極低"--連續讀取性能則為三星PM963 NVMe SSD的1.6倍。

下面來看三星公司對于Z-SSD技術的描述:

三星的Z-SSD采用V-NAND基礎結構并配合一套獨特的電路設計及控制器,能夠最大程度提升性能水平,其延遲與連續讀取性能水平分別達到三星PM863 NVMe SSD的四分之一與1.6倍。

與V-NAND共享基本結構證明其同樣屬于NAND并采用分層設計,但以上內容由韓語直接翻譯而來,所以準確性仍然有待商榷。

PM963的最高連續讀取傳輸帶寬為每秒1.6 GB,而新一代Z-SSD的同項參數則可提升至每秒2.56 GB。

不過要弄清其延遲水平則相對困難,因為三星方面壓根沒有公布過PM963的延遲。美光9100 NVMe SSD的寫入延遲為30納秒,同等比較之下這可能意味著Z-SSD的延遲為7.5納秒--與英特爾的Optane XPoint 7納秒延遲基本相當。

三星推出高速Z-SSD方案,矛頭直指XPoint

三星的Z-SSD方案:對于1 TB存儲容量來說,這樣的體積似乎確實有點太大了,再加上相當夸張的散熱片設計。

三星公司將其性能水平定位在SSD與DRAM之間,這明顯代表著其將成為Xpoint的競爭對手。三星方面計劃利用其處理各類高密度實時分析處理場景下,同時亦適合作為各類工作負載的高性能處理方案。

其中"獨特的電路設計"可能代表著其采用SLC芯片(即單層單元),這意味著其在基礎層面擁有遠超MLC(即二層單元)或者TLC(三層單元)產品的讀取與寫入速度。不過利用SLC閃存實現XPoint級別的速度表現仍然可能性很低--事實上,根本不可能。

Z-SSD將于2017年年內發布2 TB與4 TB兩種容量版本。

關鍵字:Z-SSD三星公司

本文摘自:ZDNet至頂網

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