在美國加州圣克拉拉舉辦的閃充峰會上，三星宣布了一項(xiàng)技術(shù)升級突破：第四代V-NAND（立體堆疊3D閃存）已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了64層晶粒（DIE）堆疊，存儲密度再次突破新高，超過了外媒剛經(jīng)過測評的Portable SSD T3中相當(dāng)令人震撼的48層V-NAND立體堆疊.

新一代立體堆疊的V-NAND芯片可實(shí)現(xiàn)單獨(dú)晶粒（DIE）512Gb (64GB)的存儲容量，單獨(dú)晶粒數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)100MB/S，三星預(yù)計能夠在2016年第四季度試產(chǎn)基于新技術(shù)的存儲產(chǎn)品。按此速度到2020年即可量產(chǎn)容量達(dá)100TB的SSD固態(tài)硬盤，三星已經(jīng)計劃將新技術(shù)率先應(yīng)用到企業(yè)級SSD產(chǎn)品中，與32層（每層）1TB存儲技術(shù)混合生產(chǎn)32TB的企業(yè)級SSD盤產(chǎn)品。