責任編輯：editor005 | 2016-07-28 11:36:29 本文摘自：cnBeta
東芝已經將其3D閃存堆疊到了更高的層次，并攜手西部數(shù)據(jù)（此前收購了東芝合作伙伴SanDisk）宣布了第三代BiCS閃存芯片。新款TLC閃存維持了相同的 256Gb容量，但層數(shù)已經從前代的48提高到了64層。在適當?shù)臅r候，該公司還會推出單顆512Gb（64GB）的芯片。除了預期的密度增加（晶圓容量），高堆疊還有其它益處，比如成本效益。
據(jù)悉，東芝將在日本四日市New Fab 2工廠生產新款BiCS閃存芯片，并已經向制造商提供了樣片。該公司預計可在明年上半年量產BiCS 3。
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責任編輯：editor005 | 2016-07-28 11:36:29 本文摘自：cnBeta
東芝已經將其3D閃存堆疊到了更高的層次，并攜手西部數(shù)據(jù)（此前收購了東芝合作伙伴SanDisk）宣布了第三代BiCS閃存芯片。新款TLC閃存維持了相同的 256Gb容量，但層數(shù)已經從前代的48提高到了64層。在適當?shù)臅r候，該公司還會推出單顆512Gb（64GB）的芯片。除了預期的密度增加（晶圓容量），高堆疊還有其它益處，比如成本效益。
據(jù)悉，東芝將在日本四日市New Fab 2工廠生產新款BiCS閃存芯片，并已經向制造商提供了樣片。該公司預計可在明年上半年量產BiCS 3。
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