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存儲芯片產業逐步向大陸轉移這是彎道超車最佳時期？

責任編輯：editor005 |來源：企業網D1Net 2016-07-12 15:25:16 本文摘自：中國產業信息網

編者按：背景：2015年前三季度我國集成電路進口額1629億美元，出口額473億美元，逆差1156億美元，較2014年同期進一步擴大。芯片自給率不足30%，高額利潤被海外巨頭繼續壟斷，國產任重道遠。

大陸芯片產業規模從2001年199億元增長到2014年3015億元，復合增速21%，遠高于同期全球產業7%增速，全球市場份額也從2001年的不到10%提升至2015年的45%左右，在全球半導體市場地位舉足輕重。

一批具有競爭力的企業開始走上國際舞臺。設計方面，主流ASSP、ASIC芯片關鍵技術取得突破，海思和展訊躋身2015年全球10大IC設計公司;制造方面，12英寸28nm關鍵技術取得突破，2015年中芯國際和華虹宏力位列全球10大制造企業第5、8名;封測方面，主流廠商已掌握WLCSP、SIP、FanOut等先進封裝技術，長電科技并購星科金朋后躋身前三甲，華天科技、通富微電已進入全球前十。

海思和展訊成為全球前十大IC設計企業(單位：百萬美元)

芯片自給率不足30%，“缺芯之痛”依然存在。大陸電子制造產業鏈芯片整體缺位的狀況沒有明顯改善。

晶體管結構變化提升技術難度。28nm之下，晶體管基礎結構的顛覆性變化導致了設計、制造、封測和裝備材料整條產業鏈技術復雜的大幅提升。以制造為例，從28nm到20nm，代工廠的節點設計規則和設計規則檢查用面積分別上升了58%和95%，遠超之前和之后的制程。技術難度提升是制程演進放緩的基礎因素。

資本開支顯著增大。投資一條28nm以下先進的存儲芯片生產線需要的設備投資額高達120-150億美元，同時由于芯片設計技術難度隨制程演進迅速增加，全球將少有廠商能承受如此大的資本開支。

摩爾定律已近極限，3D技術漸成主流，大陸絕佳追趕時點。在物理極限和經濟效益上遇到瓶頸之后，向三維空間堆疊的3D技術成為延續摩爾定律、提高芯片性能的主要手段。在平面微縮時代，制程演進按照每1.5-2年的速度持續進行，作為后進者的大陸企業難以跟上產業步伐，加速追趕更無從談起;3D時代，一是單層芯片的制程演進放緩;二是3D技術發展時間尚短，當下通過合資或者引進獲取的技術本身就與海外巨頭差距不大。消化吸收后再創新，有望實現彎道追趕。

存量市場加速轉移，增量市場就在大陸

移動終端最大生產國和消費國，產業轉移持續進行。2015年大陸生產了全球84%的手機，64%的平板電腦，63%的電視和83%的PC/NB，成為全球最大消費電子生產國;以中華酷聯米為代表的自主品牌繼續在全球市場高歌猛進。

全球存儲芯片產業向大陸轉移。存儲芯片是IC產業的基礎和大宗產品，在過去幾十年獲得極大的發展，存儲芯片產業逐步從美國、日本向臺灣、韓國轉移。中國大陸憑借其巨大的消費電子市場、龐大的電子制造業、相對低廉的勞動力成本和工程師紅利、以及政府對于集成電路產業的政策扶持等優勢，吸引了全球各大存儲芯片廠商來華投資設廠，當前產業開始從臺韓向大陸轉移。

存儲芯片產業逐步向大陸轉移

云計算、物聯網，兩大增量市場在大陸。2014年DRAM下游應用，移動互聯網終端占比接近70%;服務器、物聯網設備等占比約30%。2014年NANDFlash下游需求移動互聯網終端占比近80%。市場可能擔心智能手機滲透率已經很高，行業增速放緩，存儲芯片下游需求增長堪憂。我們認為：短期內，移動終端出貨量增速放緩確實影響存儲芯片需求增速，但流量爆發下的云存儲設備、物聯網新終端和區塊鏈正加速爆發，有望形成新的需求增長點。

大視頻時代來臨，流量爆發拉升服務器存儲芯片需求。從文字到圖片再到視頻，當前全球每年產生的數據正在以ZB的數級增長，預計到2020年全球數據將超過40ZB，其中大約70%-80%的數據將存儲在云端。大型數據中心將拉動服務器內存市場需求。2015年服務器內存增速達到48%，增速超過移動內存，2016年依然將有40%的增速。

中國擁有全球最大的數據消費生產和消費群體，近年來IDC已成為我國戰略性基礎設施，各地紛紛搶建，形成烽火遍地之勢。中國IDC圈發布的報告顯示，2013年，我國數據中心產業市場規模已達262.5億元人民幣，同比增長24.7%，預計2016年市場規模將達到548.3億元，增速提高到30%以上。IDC建設將會帶動存儲芯片需求的增長。

存儲芯片是最大短板。存儲芯片產業規模占IC產業的四分之一，具有高技術壁壘、重資產的雙重特性。與邏輯芯片大多采用垂直分工不同，存儲芯片行業多為IDM模式，海外巨頭憑借極強的先發優勢牢牢把握市場。以DRAM和NANDFlash兩種主要存儲芯片為例，1Q16DRAM市場93%份額由三星、海力士、美光三家占據，NANDFlash市場幾乎100%份額被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分，存儲器已成為大陸IC產業鏈的最大短板。

DRAM和NANDFlash是兩種最重要的存儲芯片

　　3D技術興起有望成為大陸存儲芯片彎道追趕最佳時點

設計難度、資本開支、經濟效益三大因素制約摩爾定律繼續演進。半導體制程已按摩爾定律發展近50年，制程進步帶來的收益是成本下降和性能提升，付出的代價是技術復雜度提升和資本開支越來越大。在28nm之上，收益遠遠大于代價，制程嚴格按摩爾定律演進，基礎本來落后的大陸芯片產業難以跟上國際巨頭步伐，差距逐漸拉大。28nm之下，收益開始小于代價，經濟效益制約愈發明顯，制程演進放緩。

物聯網時代到來，長尾市場孕育巨大需求

物聯網高速發展的時代已經到來，Gartner預計2020年將有超過260億個各類設備接入物聯網，涉及工農業、金融保險、交通運輸、汽車、家居、醫療健康等各個領域，從應用到芯片都醞釀巨大市場。其中智能硬件、工業互聯網和智能汽車有望接力傳統移動互聯網終端，成為拉動存儲芯片需求新的增長點。大陸擁有全球最優秀的互聯網公司，頂級的消費電子品牌和完整的電子制造供應鏈，有望引領此輪物聯網創新，大陸存儲芯片行業近水樓臺，有望深度受益。

物聯網孕育巨大芯片市場