美光公司已經公布了其首款3D NAND SSD，分為三層單元（簡稱TLC）1100與2200兩個型號。

作為閃存代工合作伙伴，英特爾方面此前已經于3月發布了自家3D MLC（即二層單元）SSD產品，分為DC P3320與P3520兩個型號，最高容量為2 TB。不過與英特爾方面所采用的NVMe接口不同，美光的1100采用的是速度更慢的每秒6 Gbit SATA接口。

2200型號則為PCIe NVMe設備，其性能水平高于1100。

1100型號是一款每秒6 Gbit SATA產品，2.5英寸及M.2 SATA配合可提供256 GB、512 GB、1024 GB與2048 GB（只限2.5英寸版本）等容量選項。其具體制程工藝并未公布，不過我們認為其采用的應該是32層TLC NAND與384 Gb晶粒。

下面來看1100的具體參數：

4K隨機讀取IOPS為92000

4K隨機寫入IOPS為83000

連續讀取帶寬為每秒530 MB

連續寫入帶寬為每秒500 MB

延遲--讀取/寫入延遲分別為85納秒/40納秒

使用壽命--120 TB寫入總量--256 GB為240 TB寫入總量；512 GB為400 TB寫入總量（相當于每天寫入224 GB，總使用周期為5年）

M.2外形設計的美光1100 3D NAND SSD

目前英特爾旗下只有一款3D SSD可用于同美光新產品進行性能比較，即P3320：

4K隨機讀取IOPS為36萬5千

4K隨機寫入IOPS為22000

連續讀取每秒1600 MB

連續寫入每秒1400 MB

除了隨機寫入性能之外，其它參數全部碾壓1100。

另外我們不妨將1100與容量在128 GB到1 TB之間的SATA美光M600進行比較，后者于2014年9月發布，采用16納米制程MLC閃存與128 Gb晶粒：

4K隨機讀取IOPS為10萬

4K隨機寫入IOPS為88000

連續讀取每秒560 MB

連續寫入每秒510 MB

使用壽命--100 TB總寫入量--128 GB為2000 TB；256 GB為300 TB；512 GB為400 TB

眾所周知，TLC在使用壽命上天然落后于MLC NAND，性能表現也不及后者。不過美光在1100當中帶來了令人滿意的效果，其性能較M600并不相差太多，當然差距仍然存在。

1100產品具備美光方面所謂DEVSLP技術，這是一款超低功耗產品，其中256 GB與512 GB產品在DEVSLP模式下只需不足2毫瓦功率即可運行。1 TB產品需要4毫瓦，而2 TB產品需要25毫瓦。

與M600一樣，1100亦擁有動態寫入加速機制。其不可校正誤碼率（簡稱UBER）在每1015 bits讀取中低于1扇區。該產品還提供加密與安全擦除功能。另外，其擁有150萬小時平均故障間隔（簡稱MTBF）保證。

美光2200 PCIe NVMe閃存驅動器

2200的具體信息目前尚不明確，當下我們僅知道其屬于3D NAND SSD產品。這是一款客戶設備SSD，M.2外形尺寸下的最高容量為1 TB。根據我們掌握的情況，其傳輸帶寬可達SATA SSD產品的四倍，且延遲水平更低。但這顯然是廢話--采用NVMe接口的閃存驅動器向來在速度上更為出色。

美光公司于今年4月發布了7100與9100平面MLC NVMe驅動器，因此2200應該能夠繼承其在NVMe接口方面的使用經驗。

事實上，2200的性能應當會大幅超越1100，即可以與P3320相比肩--雖然可能仍然比不上3D MLC設備；其速度應該低于72100與9100產品。著眼于英特爾與美光的3D NAND SSD，可以看出兩家企業似乎針對的是不同的細分市場。

目前2200的參數表尚未公布，而且兩款產品的具體售價也都存疑。預計1100與2200即將于今年第三季度推出，前者的上市時間應該略早。