5月18日，你曾經有過因為電腦運行速度太慢而想打穿屏幕的沖動嗎？又或者你發現自己手機加載某一簡單應用都需要很長時間嗎？幸運的是，今后的科技消費者或將不再會受到這些問題的困擾，因為IBM本周發明了一項革命性的新技術，這一技術的問世會將電子設備的運行、載入速度大大提高。

IBM當地時間周二宣布了自己在所謂“相變化內存”(Phase Change Memory,PCM)技術上取得的重大進步，而這一技術進步則將幫助我們突破現有電子設備運行速度的瓶頸。

事實上，“相變化內存”多年來一直處于研發階段，但IBM認為這項技術的成本已降至了可被消費者電子設備接受的范圍內。同時，這一技術對于諸如Facebook這些需要迅速訪問大量信息的企業也會帶來巨大幫助。

據悉，IBM研究員哈里斯-珀奇迪斯(Haris Pozidis)在當時間周二的巴黎存儲技術大會上首次公布了公司取得的這一成績，而他則相信“相變化內存”會在2017年正式投入商用。

簡單來說，“相變化內存”需要對芯片內特殊微型玻璃材料進行電加熱，而這些材料中每個單元的降溫方式則決定了芯片中所保存的數據大小。比如，在逐步降溫的過程中，材料原子將會呈晶格式排列。而在迅速降溫時，材料原子的排列將雜亂無章。不過，IBM已經對這項技術進行了改進以確保其能夠存儲更多的數據位。而早在2011年，IBM就成功實現了在單個單位中保存兩位數據。

在本周巴黎存儲技術大會上，珀奇迪斯宣布“相變化內存”單位已可以保存三位數據。而在一塊芯片中保存更多的數據就意味著這一技術成本的下降，因此其相較于傳統存儲技術也更具競爭優勢。

平心而論，我們大多數人都將計算機、電子設備在近年來取得的逐步進步認作是理所應當的事情。但事實上，無論是筆記本變得更薄還是網絡速度變得更快的背后都凝聚了無數人的辛勤勞動和付出。而且，將一項新技術正式投入商用也不是一件簡單的事情。

目前，我們使用的手機和PC設備通常會同時使用兩種技術保存數據，它們分別是能耗較大的DRAM動態存儲和存取速度較慢、成本較低、即便在斷電情況下也能保存數據的閃存。不過，“相變化內存”結合了DRAM和閃存的優點。具體來說就是，DRAM動態存儲的存取速度是“相變化內存”的5到10倍，但后者的存取速度卻是閃存的70倍左右。因此，使用“相變化內存”技術的手機應用加載速度將比閃存更快。

IBM預計，“相變化內存”的未來成本將會低于DRAM，甚至可以降至與閃存相當的水平。當然，要想讓“相變化內存”技術的制造成本降低至閃存的水平也并非易事。因為如今依舊有許多廠商在繼續改進閃存技術，且取得了不錯的成效。其中一個最為明顯的例子就是，第一代iPad的最大存儲容量僅為64GB，而最新iPadPro的最大內存已經提高至了256GB級別。