Pure Storage公司在本月初于舊金山召開的Accelerate大會上展出了一款即將推出的高端FlashArray//m系統，其可用存儲容量超過現有頂級m70機型的三倍。將于今年晚些時候正式推出。

通過演示文稿可以看到，這款新系統擁有：

1.5 PB可用存儲容量

4 TB與8 TB 3D NAND模塊（SSD）

可支持數千套虛擬機系統

始終在線服務質量承諾

每GB可用存儲容量成本低于1美元

通過本屆Accelerate大會發布的以下內容，可以看到控制器機柜之下只提供兩套擴展架。每套擴展架似乎可容納24個閃存模塊。通過簡單計算，我們發現48 x 8 TB=384 TB原始容量，其經過數據削減換算恰好可實現1.5 PB實際可用容量。

Pure Accelerate大會上公布的演示文稿

目前的m70配備512 GB、1 TB或者2 TB閃存模塊，因此新設備--采用4 TB或者8TB SSD且擁有48插槽--將在原始與實際可用容量方面提升近四倍。Pure公司m70的容量水平需要由3U控制器設備與四套2U擴展架實現，每擴展架擁有24個插槽。而新系統則應該能夠降低機架空間占用量。如果上圖所示為全配置方案的話。

根據說明，新的FlashArray可能由現有FlashArray//m架構配合高端控制器共同構成，其中每控制器配備1 TB或者更高內存，旨在實現全局重復數據刪除并管理如此可觀的存儲容量。

我們根據目前掌握的情況匯總出以下規格表，其中新設備并暫時定名為m90--當然，這只是我們的猜測。

綠色一列為經過強化的FlashArray//m家族新成員。

William Blair公司分析師Jason Ader整理出了當前各存儲供應商旗下全閃存陣列產品及其原始存儲容量：

Jason Ader整理的全閃存陣列原始存儲容量表

如果我們將其轉化為柱狀圖，并加入Pure即將發布的這款新陣列，那么結果將如下所示：

可以看到，384 TB原始存儲容量仍然非常可憐--這款全新FlashArray勉強超過了現有XtremIO、NetApp的EF系列以及SolidFire產品線。當然，Pure公司的//m70則處于墊底位置。

IBM的FlashSystem與EMC的VNXe3200在原始容量方面皆高于即將推出的FlashArray，而Kaminario的K2與Violin的7700亦保持領先。雖然Pure打造的FlashBlade同樣不可能在未來一年當中超越1.6 PB容量水平，但由于其面向非結構化數據，因此未被直接納入本輪對比。

惠普企業業務公司的StoreServ 20850則在原始容量方面占據絕對優勢。

全閃存陣列產品的原始存儲容量擁有很強的規律性，其直接反映著所使用的不同SSD、閃存芯片供應商、平面與3D NAND乃至MLC或者TLC芯片。不同的數據體積削減技術也在其中起到一定作用，事實上目前市場最為關注的正是存儲產品的實際可用容量。

可以肯定的是，存儲技術的發展演變仍將繼續，未來六到十二個月內這份圖表的內容將經歷一番劇變。

再提一句：Pure公司采用的是三星公司的3D V-NAND閃存芯片SSD，目前的相關PM863/PM1633產品最高容量為3.84 TB，采用30納米32層128 Gbit TLC芯片。

其中PM1633a則采用次30納米48層256 Gbit TLC V-NAND芯片，存儲容量為7.68 TB與15.36 TB。這款產品即將于本月發售。而東芝/SanDisk以及美光也將陸續推出自己的v3D NAND芯片，相信這將在全閃存陣列產品線中掀起新一輪升級浪潮。