全球閃存峰會（Flash Memory Summit，以下簡稱FMS）的技術委員會主席Brian Berg認為“閃存技術的發展正在打破摩爾定律，這種打破，是超越而不是無法遵從。”

就是說摩爾定律認為在價格不變的前提下，集成電路芯片上所集成的電路的數目，每隔18個月就翻一番。但是閃存目前來看至少是12月翻一番。

但為什么閃存技術會出現超越摩爾定律的情況呢？眾所周知，閃存同樣是一種半導體技術，其整體容量和性能發展，應當充分遵從摩爾定律，特別是閃存技術（比如NAND Flash）的制程工藝步進與處理器是類似的：

　　但事實卻是，閃存技術的發展，特別是企業級產品的普及速度確實超乎想象的快：如今在不考慮壓縮或重復數據刪除技術的前提下，戴爾最早洞察閃存巨變，其全閃存陣列的每GB裸容量已經能夠降低到1.5-1.6美元這個區間，也就是說，大約一年的時間，企業級全閃存陣列的價格最多降低了60-70%。

我們來看企業級SSD，同樣是一年前，業界主流產品的最大容量是3.84TB，現在這一數字是6.4TB，也就是大約提高了一倍，而單盤價格實際上還略微下降；而據三星在今年8月份在FMS上展示的路線圖顯示，最早今年年底，最遲明年上半年，三星將可以在2.5英寸封裝中提供約16TB的容量（15.36TB）。

閃存容量的提高顯然是和NAND Flash的單位容量及密度有關的，單顆NAND Flash芯片的容量越高，或者說單位面積上的NAND Flash的容量密度越高，SSD的容量（以2.5英寸封裝的SAS、SATA或SFF-8639盤為標準）也就越高。

　　3D TLC NAND Flash：

最常見到的閃存是SLC和MLC，簡單說，SLC一個Cell上都存儲1bit的數據，壽命、性能最好，但也更貴，MLC一個Cell存2個bit數據，即2bit/cell，壽命和性能相比SLC有所下降，但成本大約只是SLC的30%左右。

所謂3D TLC NAND Flash中的TLC，與SLC、MLC所描述的對象是相同的，每個Cell存3個bit，即3bit/cell，在一個Cell上做到存儲3bit的數據是一件相對比較難的事情，成本只是每單元2bit的MLC閃存的約三分之二，速度和壽命表現雖然相比MLC有所下降。

但是我們看的到時這種成倍的增長太恐怖。
需要補充的是，業界還是有一些“瘋子”是不相信自己做不到任何事情的，某些供應商正在考慮4bit的NAND Flash，從來自NAND Flash生產設備供應商的消息顯示，東芝很可能是4bit技術的主要推動者，但就東芝方面的消息表示，“這個東西基本上做出來，很難。”

說回到“3D”，為什么叫3D呢？這是因為過去NAND Flash主要是以2D的形式，也就是在平面上排列NAND Flash Cell（存儲單元），但三星、東芝等公司后來發現，完全可以采用多層堆疊的方式，于是也就出現了32層乃至48層堆疊的NAND Flash。以三星采用的3D Charge Trap Flash（簡稱CTF）結構設計的3D TLC V-NAND Flash為例，其精密程度已經邁入到每顆芯片包含853億個Cell，以3bit/Cell來計算，一共能存儲約2560億bit數據。也就是說，在一個指尖大小的NAND Flash芯片上，可以存儲256Gb的數據，而晶圓密度是上一代產品的1.4倍。

東芝NAND Flash業務高層Shigeo Ohshima曾透露，NAND Flash的容量會有“持續的、爆發式的、翻倍的增長”，他認為，2016年，體積不變的情況下（2.5英寸封裝）容量可以達到32TB，2017年是64TB，2018年是128TB（歷史同期來看，傳統HDD的容量增長預測是到2020年20-40TB）。

相比東芝計劃開戰4bit/Cell的NAND Flash，三星則熱衷于“堆積木”，這家公司對當前的32層、48層NAND Flash都不太滿意，放言“2、3年內會出現100層以上堆疊的NAND Flash”，不知道到時候東芝心情如何？

說了這么多美麗的遠景，看起來NAND Flash市場是光明一片，至少對三星、美光、SK海力士、東芝等供應商來說，摩爾定律基本上不夠這些公司通過3bit、4bit、32層、48層等技術來進行追趕的了，但摩爾定律的關鍵在于：既然是“在價格不變的前提下”。那么技術先進了這么多，密度提高了這么多，成本也自然會下降這么多，那什么時候NAND Flash會出現大規模的降價呢？

　　2016閃存價格巨變

3、4年前，市場上對NAND Flash的降價可謂是“一往情深”，NAND Flash供應商也好，企業級存儲系統的供應商也罷，媒體、分析機構、渠道，都認為“NAND Flash會馬上進入快速價格下降通道”，從而快速的取代傳統HDD在高端、高性能存儲介質層的位置。

換句話說，市場非常相信摩爾定律的“魔力”在NAND Flash市場上也能夠發揮如同處理器一樣的功效，快速取代過去近三十年發展速度遠遠追趕不上處理器、內存的傳統HDD存儲介質，可惜，市場告訴我們：真相永遠只有一個，并且這一個永遠都是最殘酷的那個。

根據市場調查機構的數據，2009年至2014年，NAND Flash市場的每GB價格年均跌幅，只有2009年、2011年和2012年超過了30%，在2010年、2013年和2014年，每GB成本下降都只有15%、18%和27%；在2015年至2016年，這一數字實際上預期也只是維持在25%-30%的水平上，這一降幅，離摩爾定律所說的“每18個月翻（降）一番”，可是遠得很！

我們知道阻礙NAND Flash價格下降的原因，主要是出在NAND Flash供應商本身，這意味著降價空間實際上是比較大的，根據市場分析機構的預計，各大NAND Flash供應商的成本承受能力，大約在2016年上半年會基本上被充分釋放，也就是說，2016年下半年，NAND Flash會迎來一波比較大的價格下降，預計2016年全年的NAND Flash價格下滑能夠超過40%，逼近50%。

通過率先引入企業級TLC 3D NAND SSD，戴爾能夠提供更具價格競爭力的全閃存陣列，并在維護期內無條件更換故障SSD（不計數據寫入量/磨損程度）。這種承諾在顯示出技術信心的同時，也讓用戶更加放心。

不過，對企業級存儲系統的用戶來說，大可不必等到2016年，前面我們說過，戴爾已經將全閃存陣列的價格推進到每GB物理容量1.66美元（僅供參考，與具體配置有關）。需要指出的一點是，某些存儲系統供應商雖然也通過數據縮減技術給出了更好看的數字，但其中一些會影響到性能。而戴爾SC陣列還支持增強型壓縮，其最大特點是通過與備受好評的自動分層存儲巧妙結合，其壓縮動作成為定期執行的后臺任務，從而有效避免了對寫入性能的影響。同時，在不額外添加專用硬件的情況下，高效壓縮算法保證了讀性能不下降。

3D NAND在一定程度上改善了TLC的寫入壽命，而戴爾SC還能通過獨特的自動分層存儲技術，在讀密集型閃存和寫密集型閃存之間做讀/寫分離，進一步保障經濟型企業級閃存的可靠性。只需要加入一個高寫入耐久度的SLC/eMLC SSD分層承擔所有寫入負載，既保障了性能，又使隨機/重復的數據IO能夠合并優化地導入至TLC SSD，達到了“少花錢，多辦事”的目的。

從某些方面來說，企業級存儲系統的供應商為了搶占市場，從2014年底至今，開展了一輪又一輪的“降價”活動，通過其自身與NAND Flash供應商巨大的議價能力、新技術的快速采用以及軟件管理控制能力，提供了比NAND Flash價格下降幅度更大的降價空間。換句話說，2016年下半年的NAND Flash降幅，早就在2015年被企業級存儲系統供應商們提前釋放了。