旨在同Diablo Technologies以及SanDisk等廠商的產(chǎn)品相對(duì)抗。
美光出品的UDIMM卡。
美光公司正在著手推出一款8 GB閃存DIMM產(chǎn)品，旨在同SanDisk及其UlltraDIMM進(jìn)行正面對(duì)抗。
所謂閃存DIMM，是指將一塊閃存芯片卡安裝在DIMM插槽當(dāng)中，從而讓NAND經(jīng)由內(nèi)存總線實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)資源交付——這種機(jī)制能夠提供超越PCIe總線的傳輸速度。該設(shè)計(jì)思路旨在提供一套位于主內(nèi)存以及PCIe閃存或者SAS閃存驅(qū)動(dòng)器之間的中間存儲(chǔ)或者緩存層，最終以相對(duì)較低的成本實(shí)現(xiàn)更為理想的I/O水平。
美光方面公布的這款DDR4 NVDIMM產(chǎn)品包含一套NVDIMM控制器、NAND芯片、DRAM以及電源，各組件將共同構(gòu)建起一套持久性內(nèi)存子系列，并能夠提供與DRAM相近的性能表現(xiàn)。
美光公司的產(chǎn)品采用DDR4 DIMM，這一點(diǎn)與Diablo Technologies的Memory1產(chǎn)品相同。而另一項(xiàng)早期Diablo技術(shù)則被SanDisk用于構(gòu)建其UlltraDIMM產(chǎn)品，且目前已經(jīng)以O(shè)EM方式供華為、聯(lián)想以及Supermicro等企業(yè)使用，不過(guò)目前相關(guān)各方還沒(méi)有向市場(chǎng)投放真正具有影響力的產(chǎn)品。從目前的情況看，上代DDR3閃存DIMM很可能會(huì)被速度更出色的DDR4方案全面取代。
閃存DIMM能夠有效提升存儲(chǔ)/內(nèi)存空間，并削減其與服務(wù)器CPU間的距離，從而允許用戶在內(nèi)存之內(nèi)運(yùn)行規(guī)模更為龐大的數(shù)據(jù)集，并借此避免PCIe總線以及SSD與磁盤所廣泛使用的SAS/SATA接口在數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度上的缺陷對(duì)應(yīng)用程序運(yùn)行造成影響。
美光公司已經(jīng)提供了一套數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度對(duì)比視圖。如果將DRAM的訪問(wèn)時(shí)長(zhǎng)設(shè)定為1秒，那么PCIe的等量訪問(wèn)時(shí)長(zhǎng)將為22分鐘，而萬(wàn)轉(zhuǎn)SAS磁盤驅(qū)動(dòng)器則需要7.6天。
美光公司給出的閃存DIMM推薦用例包括大數(shù)據(jù)分析、存儲(chǔ)設(shè)備、RAID緩存、內(nèi)存內(nèi)數(shù)據(jù)庫(kù)以及在線事務(wù)處理等。
未來(lái)美光公司將推出三款DDR4 NVDIMM產(chǎn)品，分別為：
· 8 GB DDR4 NVDIMM w/傳統(tǒng)固件：
o RDIMM架構(gòu)
o DDR4-2133
o 單級(jí)x4配置
o 已投入批量生產(chǎn)
o 備用電源：接入DRAM插槽的PowerGEM或者12伏持續(xù)供電電源
· 8 GB DDR4 NVDIMM w/JEDEC固件：
o RDIMM架構(gòu)
o DDR4-2133
o 單級(jí)x4配置
o 目前提供工程樣品；將于2016年年初批量生產(chǎn)
o 備用電源：接入DRAM插槽的PowerGEM或者12伏持續(xù)供電電源
· 面向8 GB NVDIMM之PowerGEM（超級(jí)電容）：
o 備份時(shí)長(zhǎng)：約40秒（當(dāng)失去供電后，NVDIMM控制器將DRAM內(nèi)容復(fù)制到NAND中的所需時(shí)長(zhǎng)）
o 備用電源：備用超級(jí)電容
o 支持接入2.5英寸驅(qū)動(dòng)器
美光公司指出，其閃存DIMM將成為一座銜接橋梁，充當(dāng)將于2016年正式面世的高速3D XPoint DIMM——其定位為存儲(chǔ)類內(nèi)存。
這兩類存儲(chǔ)方案的主要客戶將面向服務(wù)器OEM廠商，我們預(yù)計(jì)可能包括思科、戴爾、富士通、惠普、日立、華為、聯(lián)想以及Supermicro，外加以廣達(dá)為代表的各白盒服務(wù)器制造商。
感興趣的朋友可以點(diǎn)擊此處查看美光公司官方網(wǎng)站上的DDR4 NVDIMM介紹，相關(guān)內(nèi)容應(yīng)該會(huì)在今天或者明天正式上線。
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