美光即將推出一個(gè)8GB閃存DIMM，與閃迪及其ULLtraDIMM成為競爭對(duì)手。
閃存DIMM在DIMM插槽上安裝了一個(gè)閃存芯片卡，將NAND放在內(nèi)存總線上，這樣速度要比在PCIe總線上快很多。該理念是為了提供一個(gè)中間存儲(chǔ)或主存儲(chǔ)與PCIe閃存或磁盤存儲(chǔ)器支持的連接SAS閃存之間的緩存。
DDR4 NVDIMM產(chǎn)品將一個(gè)NVDIMM控制器，NAND，DRAM和一個(gè)電源連接形成一個(gè)具有類DRAM性能的持久性內(nèi)存子系統(tǒng)。
美光的產(chǎn)品采用的DDR4 DIMM，類似Diablo的Memory1產(chǎn)品。有一種更簡單的Diablo技術(shù)由閃迪進(jìn)行認(rèn)證，形成它的ULLtraDIMM產(chǎn)品，而且即便它沒有在市場上造成任何顯著影響，也已經(jīng)被代工到華為，聯(lián)想和超微適用于服務(wù)器使用。那么，DDR3閃存DIMM很可能會(huì)被速度更快基于DDR4的產(chǎn)品所取代。
閃存DIMM有效地?cái)U(kuò)展了存儲(chǔ)/內(nèi)存空間，接近一個(gè)服務(wù)器CPU，并且能夠在內(nèi)存中運(yùn)行更大的數(shù)據(jù)集從而使采用它們的應(yīng)用程序避免了通過PCIe總線進(jìn)行更加緩慢地?cái)?shù)據(jù)訪問，并使SAS/SATA接口傳輸?shù)絊SD和磁盤。
在數(shù)據(jù)訪問速度方面，美光已經(jīng)提供了一個(gè)對(duì)照視圖，如果一個(gè)DRAM訪問需要一秒，那么PCIe訪問則需要花費(fèi)22分鐘，一張1K SAS硬盤則需要7.6天。
美光的閃存DIMM建議使用案例為大數(shù)據(jù)分析，存儲(chǔ)應(yīng)用程序，RAID緩存，內(nèi)存數(shù)據(jù)庫和在線交易處理。
美光會(huì)有3款DDR4 NVDIMM產(chǎn)品：
1. 8GB DDR4 NVDIMM w/傳統(tǒng)固件;
RDIMM架構(gòu);
DDR4-2133;
單個(gè)rank x4配置;
目前在生產(chǎn)中;
備用電源：PowerGEM或持久12V路由到DRAM插槽。
2. 8GB DDR4 NVDIMM w/JEDEC固件：
RDIMM架構(gòu);
DDR4-2133;
單個(gè)rank x4配置;
目前工程樣品可用;2016年早期投入生產(chǎn);
備用電源：PowerGEM或持久12V路由到DRAM插槽。
3. PowerGEM(超級(jí)電容)8GB NVDIMM
備份時(shí)間：約40秒(電源切斷時(shí)，NVDIMM控制器拷貝DRAM內(nèi)容到NAND所需時(shí)間);
備用電源：超級(jí)電容(tethered);
2.5英寸驅(qū)動(dòng)器機(jī)架外形。
美光表示其閃存DIMM將提供一個(gè)橋梁，預(yù)計(jì)在2016年更快到達(dá)的還是3D XPoint DIMM，它正作為存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存進(jìn)行定位。
在這兩種情況下，主要客戶都將會(huì)是服務(wù)器OEM，我們預(yù)計(jì)其主要目標(biāo)為，思科，戴爾，富士通，惠普，日立，華為，聯(lián)想和超微，接著是一些白盒服務(wù)器制造商如Quanta。
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