TLC閃存很有可能在2015年晚期或2016年進入企業(yè)環(huán)境。

TLC閃存專為解決閃存的容量問題而設(shè)計。目前大多數(shù)閃存驅(qū)動都基于MLC。問題的關(guān)鍵在于有限數(shù)量的單元能夠物理的放置于沖模中。如果閃存廠商想要增加容量，這里有三個選項：

· 增加沖模的物理大小

· 減小單元的大小

· 采取新的單元架構(gòu)

增加沖模或減小單元的大小都存在問題。閃存單元最終都會因為多次寫操作而耗損。大單元會比小單元持久些，也因此能夠保證更大的寫數(shù)量。而如果單元減小，單元中的電子數(shù)量也會隨之減少。這最終會到達一個臨界點，單元過小導(dǎo)致的諸如電子漏等不可靠性的出現(xiàn)。

因此，閃存生產(chǎn)商都走向了最后一個選項：一種新型單元架構(gòu)。TLC單元通過每單元增加一個存儲位而增加了閃存容量。而TLC廣泛用于企業(yè)存儲也只是個時間問題。

但即便是TLC也有存儲容量的限制。TLC可能最終被3D NAND超越，3D NAND則是通過沖模垂直分層來增加容量。