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當(dāng)前位置:數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ) → 正文

如何選擇最佳的數(shù)據(jù)中心閃存?

責(zé)任編輯:editor005 |來(lái)源:企業(yè)網(wǎng)D1Net  2015-06-16 14:33:53 本文摘自:TechTarget中國(guó)

全閃存數(shù)據(jù)中心是個(gè)未來(lái)概念,同樣還有不少方法實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心內(nèi)服務(wù)器或基于陣列的閃存存儲(chǔ)。

你可以用閃存替換掉任何數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)系統(tǒng),但應(yīng)該這樣嗎?

現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的閃存存儲(chǔ)設(shè)備范圍廣泛,包括完全閃存或基于閃存緩存的磁盤陣列、服務(wù)器閃存以及作為超級(jí)融合系統(tǒng)部分,還有各種各樣的衍生技術(shù)。

全閃存存儲(chǔ)如Nimble Storage、Pure Storage以及Violin Memory都已經(jīng)在關(guān)于如何使用他們旗下的陣列替換現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)的觀點(diǎn)上發(fā)出了很大的呼聲。

EMC、NetApp、Hitachi Data System在這個(gè)硬件舞臺(tái)上采取了完全不同的看法,將閃存作為整個(gè)存儲(chǔ)架構(gòu)的一部分,但沒有必要取代它。

最佳閃存存儲(chǔ)選項(xiàng)取決于預(yù)期使用狀況、數(shù)據(jù)中心的價(jià)格最大值與存儲(chǔ)最小值,以及建筑結(jié)構(gòu)限制以及性能要求。

閃存存儲(chǔ)陣列

在原生存儲(chǔ)容量上,傳統(tǒng)磁盤還是贏了。雖然固態(tài)硬盤密度正在不斷提高,但批量制造的產(chǎn)品仍停留在1TB級(jí)。而目前的量產(chǎn)磁盤已經(jīng)高達(dá)6TB。固態(tài)硬盤也比磁盤更昂貴。然而,在基于閃存的陣列上,智能數(shù)據(jù)管理相比數(shù)據(jù)負(fù)載,能夠降低成本差異到可以忽略的水平。

閃存天生比磁盤操作速度快。與通過尋道查找數(shù)據(jù)位不同,閃存系統(tǒng)在硅晶體上工作。無(wú)須延遲查找與讀取數(shù)據(jù),閃存的IO同樣比磁盤要高得多。

有些磁盤陣列通過采用一層少量的閃存存儲(chǔ)作為數(shù)據(jù)緩存,以此和全閃存陣列進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。智能數(shù)據(jù)管理技術(shù)能夠識(shí)別“熱”(頻繁訪問)數(shù)據(jù),并將其發(fā)送到閃存中,而冷數(shù)據(jù)則保存在磁盤上。如果數(shù)據(jù)管理較差,那么陣列會(huì)出現(xiàn)響應(yīng)時(shí)間緩慢,因?yàn)樵讷@取信息時(shí),需要搜索閃存,然后再查找磁盤。此外,如果主要性能問題表現(xiàn)在數(shù)據(jù)寫入而不是讀取,那么添加閃存緩沖層并不是個(gè)好主意。

磁盤的未來(lái)

最后,磁盤還有新類型——存儲(chǔ)近線數(shù)據(jù)歸檔而不是活動(dòng)數(shù)據(jù)。在不久的將來(lái),磁盤也不會(huì)消失。更深低估的存儲(chǔ)產(chǎn)商會(huì)持續(xù)開發(fā)更快的旋轉(zhuǎn)尋道磁盤,該技術(shù)具有的特點(diǎn)使得其適用于更多的數(shù)據(jù)中心。

閃存存儲(chǔ)的壽命與磁盤不同。磁盤故障可能因?yàn)榇蓬^、盤片、馬達(dá)或者致動(dòng)器,這些問題在SSD上都不存在。每次數(shù)據(jù)被寫入閃存系統(tǒng),它通過某個(gè)編程/擦除(P/E)的周期。閃存基板智能獲取一定數(shù)量的P/E周期,盡管產(chǎn)商使用各種技術(shù),如啟發(fā)式,可以提高整個(gè)陣列的壽命。

閃存存儲(chǔ)的主要類型,多電平單元可能會(huì)失效。所以企業(yè)級(jí)的SSD有著不同的多級(jí)單元(EMLC),可以增強(qiáng)閃存的壽命和功能。單級(jí)閃存存儲(chǔ)速度較快,但比EMLC存儲(chǔ)密度低,而且價(jià)格更高。一些產(chǎn)商認(rèn)為SLC在潛在存儲(chǔ)層上高于EMLC,但大部分閃存陣列都采用EMLC,以支持主要負(fù)載,并借助閃存的主要能力來(lái)提高整體性能。

服務(wù)器閃存

與投資閃存存儲(chǔ)陣列不同,數(shù)據(jù)中心還可以把閃存安裝在服務(wù)器上。閃存驅(qū)動(dòng)器連接到主板的PCIe卡上,可以優(yōu)化到達(dá)CPU的數(shù)據(jù)速率。這樣可以提升單臺(tái)服務(wù)器的性能,但也很難實(shí)現(xiàn)資源集中。還有一個(gè)額外的選項(xiàng),是使用服務(wù)端閃存虛擬化,如PernixData FVP。

下一級(jí)的存儲(chǔ)是DIMM,擁有更快的互聯(lián)能力。DIMM閃存可以安裝在電腦系統(tǒng)內(nèi),就如內(nèi)存芯片一樣。該技術(shù)是持久的——數(shù)據(jù)可以駐留在DIMM內(nèi),即使在沒有開機(jī)的情況下。

某些基于閃存的存儲(chǔ)陣列廠商表示,存儲(chǔ)層管理對(duì)閃存來(lái)說(shuō)并不重要,因?yàn)橄鄬?duì)于磁盤來(lái)說(shuō)性能優(yōu)勢(shì)太明顯了。但這并不是慣例。擁有閃存存儲(chǔ)陣列以及服務(wù)器PCIE閃存存儲(chǔ)與DIMM閃存系統(tǒng)的混合系統(tǒng),會(huì)需要非常小心的層級(jí)管理。

編者按:Violin Memory的一篇運(yùn)營(yíng)博客指出,全閃存數(shù)據(jù)中心能夠獲得新的收入來(lái)源,降低運(yùn)營(yíng)成本,簡(jiǎn)化操作并獲得更多的潛在收益。同樣的Pure Storage也提出全閃存數(shù)據(jù)中心是加速業(yè)務(wù)與驅(qū)動(dòng)新舉措的方法。同時(shí),EMC倡導(dǎo)閃存實(shí)用主義,而且Hitachi在探討如何更無(wú)縫的集成閃存到現(xiàn)有的存儲(chǔ)技術(shù)中。

關(guān)鍵字:閃存數(shù)據(jù)中心數(shù)據(jù)緩存

本文摘自:TechTarget中國(guó)

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當(dāng)前位置:數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ) → 正文

如何選擇最佳的數(shù)據(jù)中心閃存?

責(zé)任編輯:editor005 |來(lái)源:企業(yè)網(wǎng)D1Net  2015-06-16 14:33:53 本文摘自:TechTarget中國(guó)

全閃存數(shù)據(jù)中心是個(gè)未來(lái)概念,同樣還有不少方法實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心內(nèi)服務(wù)器或基于陣列的閃存存儲(chǔ)。

你可以用閃存替換掉任何數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)系統(tǒng),但應(yīng)該這樣嗎?

現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的閃存存儲(chǔ)設(shè)備范圍廣泛,包括完全閃存或基于閃存緩存的磁盤陣列、服務(wù)器閃存以及作為超級(jí)融合系統(tǒng)部分,還有各種各樣的衍生技術(shù)。

全閃存存儲(chǔ)如Nimble Storage、Pure Storage以及Violin Memory都已經(jīng)在關(guān)于如何使用他們旗下的陣列替換現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)的觀點(diǎn)上發(fā)出了很大的呼聲。

EMC、NetApp、Hitachi Data System在這個(gè)硬件舞臺(tái)上采取了完全不同的看法,將閃存作為整個(gè)存儲(chǔ)架構(gòu)的一部分,但沒有必要取代它。

最佳閃存存儲(chǔ)選項(xiàng)取決于預(yù)期使用狀況、數(shù)據(jù)中心的價(jià)格最大值與存儲(chǔ)最小值,以及建筑結(jié)構(gòu)限制以及性能要求。

閃存存儲(chǔ)陣列

在原生存儲(chǔ)容量上,傳統(tǒng)磁盤還是贏了。雖然固態(tài)硬盤密度正在不斷提高,但批量制造的產(chǎn)品仍停留在1TB級(jí)。而目前的量產(chǎn)磁盤已經(jīng)高達(dá)6TB。固態(tài)硬盤也比磁盤更昂貴。然而,在基于閃存的陣列上,智能數(shù)據(jù)管理相比數(shù)據(jù)負(fù)載,能夠降低成本差異到可以忽略的水平。

閃存天生比磁盤操作速度快。與通過尋道查找數(shù)據(jù)位不同,閃存系統(tǒng)在硅晶體上工作。無(wú)須延遲查找與讀取數(shù)據(jù),閃存的IO同樣比磁盤要高得多。

有些磁盤陣列通過采用一層少量的閃存存儲(chǔ)作為數(shù)據(jù)緩存,以此和全閃存陣列進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。智能數(shù)據(jù)管理技術(shù)能夠識(shí)別“熱”(頻繁訪問)數(shù)據(jù),并將其發(fā)送到閃存中,而冷數(shù)據(jù)則保存在磁盤上。如果數(shù)據(jù)管理較差,那么陣列會(huì)出現(xiàn)響應(yīng)時(shí)間緩慢,因?yàn)樵讷@取信息時(shí),需要搜索閃存,然后再查找磁盤。此外,如果主要性能問題表現(xiàn)在數(shù)據(jù)寫入而不是讀取,那么添加閃存緩沖層并不是個(gè)好主意。

磁盤的未來(lái)

最后,磁盤還有新類型——存儲(chǔ)近線數(shù)據(jù)歸檔而不是活動(dòng)數(shù)據(jù)。在不久的將來(lái),磁盤也不會(huì)消失。更深低估的存儲(chǔ)產(chǎn)商會(huì)持續(xù)開發(fā)更快的旋轉(zhuǎn)尋道磁盤,該技術(shù)具有的特點(diǎn)使得其適用于更多的數(shù)據(jù)中心。

閃存存儲(chǔ)的壽命與磁盤不同。磁盤故障可能因?yàn)榇蓬^、盤片、馬達(dá)或者致動(dòng)器,這些問題在SSD上都不存在。每次數(shù)據(jù)被寫入閃存系統(tǒng),它通過某個(gè)編程/擦除(P/E)的周期。閃存基板智能獲取一定數(shù)量的P/E周期,盡管產(chǎn)商使用各種技術(shù),如啟發(fā)式,可以提高整個(gè)陣列的壽命。

閃存存儲(chǔ)的主要類型,多電平單元可能會(huì)失效。所以企業(yè)級(jí)的SSD有著不同的多級(jí)單元(EMLC),可以增強(qiáng)閃存的壽命和功能。單級(jí)閃存存儲(chǔ)速度較快,但比EMLC存儲(chǔ)密度低,而且價(jià)格更高。一些產(chǎn)商認(rèn)為SLC在潛在存儲(chǔ)層上高于EMLC,但大部分閃存陣列都采用EMLC,以支持主要負(fù)載,并借助閃存的主要能力來(lái)提高整體性能。

服務(wù)器閃存

與投資閃存存儲(chǔ)陣列不同,數(shù)據(jù)中心還可以把閃存安裝在服務(wù)器上。閃存驅(qū)動(dòng)器連接到主板的PCIe卡上,可以優(yōu)化到達(dá)CPU的數(shù)據(jù)速率。這樣可以提升單臺(tái)服務(wù)器的性能,但也很難實(shí)現(xiàn)資源集中。還有一個(gè)額外的選項(xiàng),是使用服務(wù)端閃存虛擬化,如PernixData FVP。

下一級(jí)的存儲(chǔ)是DIMM,擁有更快的互聯(lián)能力。DIMM閃存可以安裝在電腦系統(tǒng)內(nèi),就如內(nèi)存芯片一樣。該技術(shù)是持久的——數(shù)據(jù)可以駐留在DIMM內(nèi),即使在沒有開機(jī)的情況下。

某些基于閃存的存儲(chǔ)陣列廠商表示,存儲(chǔ)層管理對(duì)閃存來(lái)說(shuō)并不重要,因?yàn)橄鄬?duì)于磁盤來(lái)說(shuō)性能優(yōu)勢(shì)太明顯了。但這并不是慣例。擁有閃存存儲(chǔ)陣列以及服務(wù)器PCIE閃存存儲(chǔ)與DIMM閃存系統(tǒng)的混合系統(tǒng),會(huì)需要非常小心的層級(jí)管理。

編者按:Violin Memory的一篇運(yùn)營(yíng)博客指出,全閃存數(shù)據(jù)中心能夠獲得新的收入來(lái)源,降低運(yùn)營(yíng)成本,簡(jiǎn)化操作并獲得更多的潛在收益。同樣的Pure Storage也提出全閃存數(shù)據(jù)中心是加速業(yè)務(wù)與驅(qū)動(dòng)新舉措的方法。同時(shí),EMC倡導(dǎo)閃存實(shí)用主義,而且Hitachi在探討如何更無(wú)縫的集成閃存到現(xiàn)有的存儲(chǔ)技術(shù)中。

關(guān)鍵字:閃存數(shù)據(jù)中心數(shù)據(jù)緩存

本文摘自:TechTarget中國(guó)

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