Brien M. Posey是一位微軟認證系統工程師，曾獲微軟Exchange Server、Windows Server 和Internet Information Server (IIS)的MVP獎。Brien擔任一個全國連鎖性醫院的CIO，曾經在Fort Knox負責信息管理系。

我預計基于3-D NAND的存儲陣列將會在2015年底或2016年初大量出現。事實上，市場上已經有了三星的一款產品，而其他內存制造商，例如英特爾，正在加速生產3-D NAND芯片。英特爾已經宣布，它計劃在今年晚些時候推出3-D NAND閃存芯片。

如果你不熟悉3-D NAND，它是為提高容量和降低閃存每GB成本的一項重要技術。閃存驅動器的成本與閃存芯片尺寸直接相關。芯片的容量并不要緊，因為決定價格的是芯片的物理尺寸。在NAND芯片上增加存儲單元的密度可以增大其存儲容量，并降低每GB成本，因為只要芯片的物理尺寸不改變，制造成本基本保持相同。

近年來，芯片制造商們對增加NAND芯片容量的難度紛紛表示了憂慮。因為芯片模片上可供他們利用的空間已經微乎其微，于是，廠商們決定將晶體管在垂直方向上堆疊。例如，即將出廠的英特爾3-D NAND芯片，將會包括層疊的32層，容量大約是現有NAND芯片的兩倍。

使用這種技術，英特爾宣稱它能夠創建容量1TB的NAND芯片。該公司預計，在未來兩年內將能生產10 TB容量的閃存卡。這些估計目前還無法幫助我們預測什么時候基于3-D NAND的存儲陣列能夠上市。