隨機讀取IOPS高達七十五萬——這樣的性能水平是否能吸引到大家的關(guān)注?HGST公司最近剛剛推出了其NVMeUltrastar SN100 PCI閃存卡，這款產(chǎn)品最初于七個月前得到正式公開。

其速度與傳輸能力都擁有令人印象深刻的表現(xiàn)，HGST公司則表示該產(chǎn)品是“業(yè)界性能最高的NVMe兼容式SSD系列方案。”其具體規(guī)格包括：

采用MLC閃存(我們認為很可能由東芝公司提供)的HH-HL PCIe第三代四通道產(chǎn)品提供1.6TB及3.2TB容量。

配備PCIe接口的2.5英寸可熱插拔SSD產(chǎn)品容量分別為800GB、1.6TB以及3.2TB。

4K隨機讀取IOPS最高可達74萬3千。

4K隨機寫入IOPS最高可達16萬。

連續(xù)讀取帶寬最高可達3GB每秒。

Up連續(xù)寫入帶寬最高可達1.6GB每秒。

延遲為20微秒。

提供五年質(zhì)保服務(wù)。

耐久性為每天三次全盤寫入。

這臺設(shè)備提供31萬混合型讀取/寫入(二者比例為七比三)IOPS。HGST公司還擁有自己的Flash Software Suite以及Device Manager軟件，能夠配合SN100產(chǎn)品為服務(wù)器端閃存配置方案提供集群化、可擴展能力、高可用性以及可管理能力。

HGST SN100系列產(chǎn)品

標題所指的是SN100的隨機讀取IOPS表現(xiàn)。相比之下，EMC的VFCache能夠提供71萬5千IOPS，因此SN100仍然在速度方面更勝一籌。SanDisk的ioDrive 2 Duo在這方面的成績?yōu)?0萬，亦需臣服于HGST面前。美光的P420m與三星的3D V-NAND SM1715在4K隨機讀取情況下皆能提供75萬IOPS，而且后者還擁有更為出色的耐久性水平——在為期五年的質(zhì)保周期內(nèi)，其每天可進行十次全盤寫入操作。從這方面看，二者都比Ultrastar SN100略勝一籌。

NVMe型號的出現(xiàn)意味著，用戶完全可以在SN100之上使用標準驅(qū)動器代碼、而不再單純依賴于PCIe驅(qū)動器。

HGST公司的NVMePCIe卡產(chǎn)品（即SN150）目前已經(jīng)正式投放市場，而2.5英寸SSD（即SN100）將于今年五月與廣大用戶見面。