三星、東芝和美光最近都公開了各自在3D NAND閃存領域的發展情況。DigiTimes引述市場人士的分析指出：在2014年至2015年廠商將進入3D NAND閃存芯片的早期生產階段，往后的數年會進入工業性生產階段。 三星、東芝和美光最近都公開了各自在3D NAND閃存領域的發展情況。DigiTimes引述市場人士的分析指出：在2014年至2015年廠商將進入3D NAND閃存芯片的早期生產階段，往后的數年會進入工業性生產階段。
這種新技術什么時候才準備好商業規模生產，三星的3D NAND閃存戰略和它的市場接納程度將會是重要的決定因素。
在這種新技術上現時三星走在東芝和美光的前頭，三星表示他們已經開始量產面向消費電子和企業應用的3D NAND閃存，例如嵌入式NAND和SSD。
三星在西安的12英寸晶圓廠將達到3D NAND閃存的生產要求，他們計劃在2014年再有新的NAND閃存晶圓廠投入運作。
不久前東芝在日本的四日市新晶圓廠破土動工，將在2014年夏季投入使用，生產3D NAND閃存和具有更多高級節點技術的芯片。預計東芝會在2015年開始量產3D NAND芯片，而據稱現在已經有樣品提供。
美光CEO Mark Durcan早前也表示他們會在2014年第一季度開始提供3D NAND閃存的樣品。
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