三星電子近日宣布，已開始正式量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款基于3D TSV封裝技術(shù)的64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存。該款高密度高性能的內(nèi)存模塊不僅能推動(dòng)企業(yè)級(jí)服務(wù)器和云計(jì)算環(huán)境下應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，也會(huì)在數(shù)據(jù)中心解決方案的進(jìn)一步多樣化上起到關(guān)鍵性作用。

三星電子有限公司憑借在智能手機(jī)、個(gè)人電腦、打印機(jī)、相機(jī)、家電、LTE通信設(shè)備和半導(dǎo)體等領(lǐng)域的深厚積累，正在引領(lǐng)全球的智能化發(fā)展。新推出的RDIMM 內(nèi)存由36個(gè)DDR4 DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4 DRAM裸片。這款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20納米級(jí)制程技術(shù)和3D TSV封裝技術(shù)。

三星電子存儲(chǔ)芯片事業(yè)部?jī)?nèi)存市場(chǎng)營(yíng)銷負(fù)責(zé)人白智淏副總裁表示：“通過推出采用3D TSV技術(shù)的尖端解決方案，三星力求加強(qiáng)在DRAM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并進(jìn)而推動(dòng)全球DRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)今年下半年下一代CPU即將問世，而DDR4 市場(chǎng)規(guī)模也有望隨之顯著擴(kuò)大。此次推出的采用3D TSV封裝技術(shù)的高效節(jié)能型DDR4內(nèi)存模塊，正是三星領(lǐng)先主流DDR4市場(chǎng)的又一新作。”

繼去年首次量產(chǎn)3D V-NAND閃存之后，三星此次量產(chǎn)3D TSV內(nèi)存模塊標(biāo)志著存儲(chǔ)技術(shù)史上的一個(gè)新的里程碑。通過此次推出全新的TSV內(nèi)存模塊，三星更加穩(wěn)固了其在“3D內(nèi)存時(shí)代”的科技領(lǐng)先地位。

據(jù)Gartner的研究報(bào)告，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將于年內(nèi)在金額上達(dá)到386億美元，在容量上達(dá)到298億Gb。其中服務(wù)器市場(chǎng)將約有67億Gb，約占今年整個(gè)DRAM生產(chǎn)規(guī)模的20%以上。