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三菱電機推出光伏逆變器用智能功率半導體模塊 采用SiC二極管

責任編輯:editor006 |來源:企業網D1Net  2014-11-26 17:48:18 本文摘自:北極星太陽能光伏網

三菱電機將于2014年11月28日開始銷售用于太陽能發電系統逆變器的智能功率半導體模塊“PV用大型混合SiCDIPIPM(雙列直插型智能功率模塊)”。該模塊采用碳化硅(SiC)二極管,型號為“PSH50YA2A6”。

該產品采用混合構造,即二極管部分配備SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)、晶體管部分配備采用三菱電機自主開發的CSTBT(利用載流子積聚效應的IGBT)構造的第七代IGBT。據介紹,新產品的功耗與三菱電機的原產品“PS61A99”相比降低了約25%,這樣便可實現逆變器系統的低功耗化,因此可以提高電力轉換效率。

另外,新產品還將短路保護方式改為從IGBT提取幾千分之一左右的集電極電流、檢測這部分微小電流的方式。據介紹,采用這種方式就可以省去額定功率較大的外置分流電阻,可以實現逆變器系統的小型化。

新產品“PSH50YA2A6”的尺寸為31.0mm×79.0mm×8.0mm,額定電流和額定電壓分別為50A和600V。樣品價格為2萬日元(不含稅)。

關鍵字:三菱電機逆變器功率半導體

本文摘自:北極星太陽能光伏網

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責任編輯:editor006 |來源:企業網D1Net  2014-11-26 17:48:18 本文摘自:北極星太陽能光伏網

三菱電機將于2014年11月28日開始銷售用于太陽能發電系統逆變器的智能功率半導體模塊“PV用大型混合SiCDIPIPM(雙列直插型智能功率模塊)”。該模塊采用碳化硅(SiC)二極管,型號為“PSH50YA2A6”。

該產品采用混合構造,即二極管部分配備SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)、晶體管部分配備采用三菱電機自主開發的CSTBT(利用載流子積聚效應的IGBT)構造的第七代IGBT。據介紹,新產品的功耗與三菱電機的原產品“PS61A99”相比降低了約25%,這樣便可實現逆變器系統的低功耗化,因此可以提高電力轉換效率。

另外,新產品還將短路保護方式改為從IGBT提取幾千分之一左右的集電極電流、檢測這部分微小電流的方式。據介紹,采用這種方式就可以省去額定功率較大的外置分流電阻,可以實現逆變器系統的小型化。

新產品“PSH50YA2A6”的尺寸為31.0mm×79.0mm×8.0mm,額定電流和額定電壓分別為50A和600V。樣品價格為2萬日元(不含稅)。

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