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美光科技于今日發表了一篇有關量產GDDR5X芯片的早期報告，并欣喜地表示晶圓方面的進展早于預期，因為這部分有效硅晶片的速率已達到13GB s（高端GDDR5X規格在10到14Gb s之間），有些令人難以置信。
DDR5 的低功耗表現對移動設備來說也相當有吸引力，比如三星最新的 Galaxy S8 智能機就還在用 LPDDR4 內存。芯片和主板制造商們肯定樂于內存新標準的推出，畢竟這會創造新的贏利點，相信該過程會在標準正式發布一年后逐步推進。
首個DDR4-2666 RDIMM內存問世：瞄準Intel下一代平臺
一直致力于工業級存儲設備研發的InnoDisk今天正式宣布推出DDR4-2666服務器內存產品，主要適配即將于2017年發布的Intel Purley平臺。InnoDisk DDR4-2666 RDIMM服務器內存工作電壓為1 2V
正常使用，處理器和內存對于速度的影響最大，為了盡可能的控制成本，將內存縮水，又是最簡單直接粗暴的方法。升級之前還需要考慮的一個問題是，電腦是否還有空余的內存插槽，每個插槽可以支持多大容量的內存，電腦使用的是哪種規格的內存等。
隨著新一代顯卡到來，內存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據德國IT網站Golem de報道，SK Hynix計劃不久將開始生產第二代高帶寬內存（HBM2）
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