奈米關(guān)鍵字列表
超級臺積電 半導(dǎo)體大聯(lián)盟 哪些臺廠出頭天？
對臺積電而言，與時間賽跑的壓力，也不容許現(xiàn)階段選擇離開臺灣，再到美國、或其他地方重起爐灶，而所謂的時間壓力，就是“摩爾定律”即將碰壁的事實。
據(jù)ICInsights最新數(shù)據(jù)預(yù)估，整體來說，2017年純晶圓代工市場的營收規(guī)模將成長7%，但成長動能幾乎全部來自40奈米以下先進制程。
瑞薩電子(Renesas)宣布成功開發(fā)首創(chuàng)采用鰭狀電晶體的分離閘金屬氧氮氧矽快閃記憶體(SG-MONOS)單元，適用于電路線寬僅16至14奈米(nm)或更精細的微控制器(MCU)制程
外電報導(dǎo)，全球半導(dǎo)體龍頭英特爾的征才啟事，意外透露該公司先進制程進度可能比預(yù)期落后，最關(guān)鍵的7奈米制程量產(chǎn)時間點可能延至2021年
ARM首款基于臺積公司10奈米FinFET多核心測試晶片問世
安謀國際(ARM)宣布首款采用臺積公司10奈米FinFET制程技術(shù)的多核心64位元ARM v8-A處理器測試晶片問世。此款測試晶片已成功獲得驗證(2015 年第 4 季已完成設(shè)計定案)，為該公司與臺積公司持續(xù)成功合作的重要里程碑。
企業(yè)網(wǎng)版權(quán)所有?2010-2024 京ICP備09108050號-6
京公網(wǎng)安備 11010502049343號
